250 - 1850 cm-1 光谱仪范围 高 NA、f/1.3 光学设计，提供卓越的灵敏度和信噪比 与其他紧凑型 InGaAs 光谱仪相比，信号和速度更胜一筹 免费操作软件和 SDK 了解我们的 OEM 就绪型 1064 光谱仪

这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管，针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连，以及恶劣环境下的微波光子学应用。

20 GHz高功率、高线性光电二极管专为RF光纤链路设计，提供高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量。这是一款封装的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽优化，适用于高达20 GHz的RF频率。设计用于需要高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量的RF光纤链路。

APIC Corporation的40 GHz高功率高线性光电二极管适用于要求高增益、高动态范围的RF over fiber通信链路和恶劣环境下的光通信链路。这是一款封装好的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽进行了优化，以在高达40 GHz的RF频率下运行。该PD设计用于需要高动态范围、低噪声指数和在更高频率下的高RF信号吞吐量的RF over fiber链路。

APIC Corporation的20/40 GHz高功率、高线性台式光电接收模块，适用于需要高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连场合。这是一款台式模块，使用了ARX20/40系列光电探测器（PD），并集成了偏压电源和前面板上的偏压电流监控显示。内置可充电电池为PD提供稳定偏压。InGaAs PD采用专有芯片设计，优化了高输入光功率和输出电流线性。该接收器设计用于与低相对强度噪声（RIN）光发射器配合使用，实现高性能RF光纤链路。

以马赫数6测量高达200 kHz的每个脉冲。以12位数字精度进行测量，并实时捕获多达400万个脉冲。我们的马赫数为6的焦耳计是世界上先进能达到这种速度和精度的仪器。它旨在支持我们的全套快速能量探测器，包括硅、InGaAs和热释电探测器。测量范围为PJ至MJ和0.35至2.5μm。使用M6-Si探测器和M6-UV-QED附件，您可以在266 nm处进行相对测量。

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以马赫数6测量高达200 kHz的每个脉冲。以12位数字精度进行测量，并实时捕获多达400万个脉冲。我们的6马赫焦耳计是世界上先进能以这种速度和精度运行的仪器。它旨在支持我们的全套快速能量探测器，包括硅、InGaAs和热释电探测器。测量范围为PJ至MJ和0.35至2.5µm。使用M6-Si探测器和M5-UC-QED附件，您可以在266 nm处进行相对测量。

OSI Laser Diode Inc LAPD 3030-SMR是一款30um InGaAs APD，采用3引脚同轴封装

LAPD 1550-30R是一款30um InGaAs台面结构APD，封装在密封的3引脚至46封装中

从InGaAs半导体（二极管）激光器发射的975nm IR波长辐射。这种975nm激光器是在近红外区域发射的二极管激光源。这是一个毫米光纤耦合激光二极管模块，可以通过USB方便地连接和控制。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

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