• T1678P 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 570 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 72 pF

    Vishay Intertechnology的T1678P是一款光电二极管,波长范围为570 nm,电容为35至72 PF,暗电流为0.1至2 nA,上升时间为100至415 ns.有关T1678P的更多详细信息,请联系我们。

  • 501193 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 15 to 100 pF 暗电流: 0.2 nA 响应度/光敏度: 0.4 to 0.64 A/W

    First Sensor的501193是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm,电容为15至100 PF,暗电流为0.2 nA,响应度/光敏度为0.4至0.64 A/W,有效面积直径为3570µm.有关501193的更多详细信息,请联系我们。

  • 501229 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 350 to 1100 nm 电容: 50 to 140 pF 暗电流: 0.2 nA 响应度/光敏度: 0.22 to 0.37 A/W

    First Sensor的501229是一款光电二极管,波长范围为350至1100 nm,电容为50至140 PF,暗电流为0.2 nA,响应度/光敏度为0.22至0.37 A/W,有效面积直径为3570µm.有关501229的更多详细信息,请联系我们。

  • 501256 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 5 to 30 pF 暗电流: 0.4 nA 响应度/光敏度: 0.4 to 0.64 A/W

    First Sensor的501256是一个光电二极管,波长范围为400至1100 nm,电容为5至30 PF,暗电流为0.4 nA,响应度/光敏度为0.4至0.64 A/W,有效面积直径为3570µm.有关501256的更多详细信息,请联系我们。

  • 501426 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:First Sensor
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 350 to 1000 nm 电容: 75 to 90 pF 暗电流: 0.030 to 0.3 nA 响应度/光敏度: 0.16 to 0.23 A/W

    First Sensor的501426是一个光电二极管,波长范围为350至1000 nm,电容为75至90 PF,暗电流为0.030至0.3 nA,响应度/光敏度为0.16至0.23 A/W,有效面积直径为3570µm.501426的更多细节可以在下面看到。

  • LA PT28AP1 光电晶体管
    德国
    分类:光电晶体管
    厂商:Light Avenue
    安装类型: Chip 光电晶体管型: Phototransistor 集电极发射极电压(击穿): 6 V 集电极暗电流: 3 to 50 nA 发射极集电极电压(击穿): 1.5 V

    来自Light Avenue的LA PT28AP1是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为6 V,集电极暗电流为3至50 nA,发射极集电极电压(击穿)为1.5 V,波长(光谱灵敏度)为570 nm.有关LA PT28AP1的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD-1550-9MM-50 超辐射发光二极管
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    类型: Free Space SLED

    Nolatech公司的SLD-1550-9mm-50是一种超辐射发光二极管,波长为1540~1570nm,输出功率为40~50mW,带宽(FWHM)为20~25nm,正向电压为2.5V,正向电流为450~500mA.有关SLD-1550-9mm-50的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD1005S 超辐射发光二极管
    美国
    厂商:索雷博
    光纤模式: Single Mode 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser 光谱形状: near-Gaussian

    Thorlabs Inc的SLD1005S是一款超辐射发光二极管,波长为1530至1570 nm,输出功率为20至22 MW,带宽(FWHM)为45至50 nm,工作电流为600至800 mA,正向电压为1.4至1.8 V.

  • SLD1550P-A40 超辐射发光二极管
    美国
    厂商:索雷博
    光纤模式: Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser 光谱形状: near-Gaussian

    Thorlabs Inc的SLD1550P-A40是一款超辐射发光二极管,波长为1530至1570 nm,输出功率为35至40 MW,带宽(FWHM)为30至33 nm,工作电流为750至900 mA,正向电压为1.4至1.8 V.SLD1550P-A40的更多详情见下文。

  • SLD1550S-A40 超辐射发光二极管
    美国
    厂商:索雷博
    光纤模式: Single Mode 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser 光谱形状: near-Gaussian

    Thorlabs Inc生产的SLD1550S-A40是一款超辐射发光二极管,波长为1530至1570 nm,输出功率为35至40 MW,带宽(FWHM)为30至33 nm,工作电流为750至900 mA,正向电压为1.4至1.8 V.SLD1550S-A40的更多详情见下文。

  • DL-CS5014A 超辐射发光二极管
    光纤模式: Singlemode 光纤类型: SMF-28 类型: Fiber-Coupled SLED SLED波长公差: +/-20 nm

    Denselight Semiconductors的DL-CS5014A是一款超辐射发光二极管,波长为1530至1570 nm,输出功率为1 MW,带宽(FWHM)为40 nm,工作电流为125 mA,正向电压为2 V.

  • AS5B125EM50M 超辐射发光二极管
    日本
    厂商:安立公司
    光纤模式: Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED

    安立公司(Anritsu Corporation)的AS5B125EM50M是超辐射发光二极管,波长为1530至1570nm,输出功率为25mW,带宽(FWHM)为55至60nm(光谱宽度),正向电流为600mA.有关AS5B125EM50M的更多详细信息,请联系我们。

  • WT-MINT, 3 to 12 ns 干涉仪
    法国
    分类:干涉仪
    厂商:Kylia
    类型: Mach-Zehnder Interferometer, Delay Line Interferometer 探测器类型: Differential Photodetector 光纤类型: PANDA PM, SMF-28 应用: DPSK Demodulation

    来自Kylia的WT-MINT,3至12ns是Mach-Zender延迟线干涉仪,其在可见光至IR波长IE中操作;800纳米、1064纳米、1300纳米和1520-1570纳米。它的光延迟范围为3-12ns,插入损耗为9dB,最小光回波损耗小于35dB.该干涉仪的偏振模色散为0.1ps,色散为1ps/nm.它具有高达1.5FSR(自由光谱范围)的调谐范围和25dB的偏振消光比。该干涉仪需要高达90 V的直流电源,功耗高达0.5 W.WT-MINT,3至12 ns,采用封装,尺寸为750 X 400 X 129 mm,具有SMF-28/Panda PM光纤尾纤。它支持BNC、FP/UPC、FC/APC、SC/PC、SC/APC、LC/PC、E2000/PC和E2000/APC等。连接器。该干涉仪是DPSK解调应用的理想选择。

  • MFE 激光器模块和系统
    MFE
    澳大利亚
    厂商:MOGLABS
    电源稳定性: 2% RMS 波长: 1060 – 1090nm, 6 W 1550 – 1570nm, 18 W 775 – 785nm, > 4 W (via SHG) 工作温度: 20 ± 10 °C 功率: 500 mW to 20 W (wavelength dependent) 激光头尺寸: 422 x 88.5 x 400 (WxHxD), 7kg

    MOGLabs MFE 是基于掺铒和掺镱有源光纤的模块化高功率光纤放大器系统。 它使用内部或外部种子激光器和多达三个放大级,输出功率从 500 mW 到 20 W。 掺镱有源光纤的工作波长范围为 1000 至 1100 nm,掺铒有源光纤的工作波长范围为 1530 至 1610 nm。 外部二次谐波发生(SHG)模块可通过标准 USB-C 电缆直接连接到放大器。 目前可用的波长和峰值功率 1060 - 1090nm, 6 W 1550 - 1570 纳米,18 W 775 - 785 纳米,4.3 W(通过 SHG)

  • LSP-SL-1570-10-01 半导体激光器
    中国大陆
    激光波长: 1.57um 激光平均能量: 6-10mJ 激光脉冲宽度: 3-5ns 频率范围: 20Hz-定制 光束发散角: 8-10mrad

    1.57μm全固态激光器采用OPO技术,对人眼损伤阈值高,适用于远距离测距,对多种目标的背景反差大,适合激光雷达和目标识别等应用。采用被动调Q技术,体积小,结构紧凑,适合军工激光测距、照射和雷达等领域。

  • LSP-LRE-4020A远程激光测距模块 半导体激光器
    中国大陆
    激光波长: 1570nm±5nm 作用距离A: ≥40km 作用距离B: ≥16km 激光发散角: ≥0.6mrad 连续测距频率: 1~20Hz

    LSP-LRE-4020A远程激光测距模块基于1570nm OPO激光器研发,适用于特种应用领域,采用单脉冲飞行时间测距方式,可达40km作用距离。

  • EP1570-DM-B: 1570nm DM激光二极管 1560-1573nm 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    中心波长: 1.570um 输出功率: 7mW

    用于气体传感应用的可调谐二极管激光器专家提供用于一氧化碳检测的EP1570DM-B激光器,该激光器可在1560 nm至1573 nm范围内连续调谐。该激光二极管是可调谐二极管激光吸收光谱(TDLAS)的理想选择,为恶劣环境中的实时痕量气体传感(ppm或ppb级别)提供低维护解决方案。EP1570-DM-B二极管激光器利用专有的离散模式(DM)技术,可产生具有出色SMSR的可调谐单频输出。类似于没有大多数DFB固有的模式跳变的传统DFB激光器。

  • HSMF-C144 发光二极管
    美国
    分类:发光二极管
    厂商:Broadcom
    芯片技术: Aluminum Indium Gallium Phosphide (AllnGaP) 颜色: Red, Yellow Green RoHS: Yes 正向电压: 1.6 to 2.4 V 正向电流: 30 mA

    Broadcom的HSMF-C144是一款直角双色芯片,工作波长为570 nm(黄绿色)和632 nm(红色)。它的发光强度为18-180 MCD,视角为120°,可实现出色的色彩混合。这款LED的功耗高达72 MW,反向电压高达5 V.它采用高效磷化铝铟镓(ALLNGAP)芯片技术,可提供高光输出性能。该LED的正向电压为1.6-2.4 V,正向电流高达30 mA.HSMF-C144采用表面贴装封装,尺寸为3 X 2 X 1 mm,还采用卷带封装,尺寸为7英寸(卷盘直径)X 8 mm(载带),与行业标准自动机器贴装和回流焊接兼容。它是背光、状态指示灯、前面板指示灯、办公自动化、家用电器和工业设备应用的理想选择。

  • qdfbld-1570-5ax 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1560 to 1580 nm 输出功率: 0.003 to 0.005 W 工作电压: 1 to 1.4 V

    来自Qphotonics的QDFBLD-1570-5AX是一款激光二极管,波长为1560至1580 nm,输出功率为0.00 3至0.005 W,工作电压为1至1.4 V,阈值电流为7至10 mA,输出功率(连续波)为0.00 3至0.005 W.有关QDFBLD-1570-5AX的更多详细信息,请联系我们。

  • qdfbld-1570-5to 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1571.6 nm 输出功率: 0 to 0.0051 W 工作电压: 1 to 1.5 V

    QPhotonics公司的QDFBLD-1570-5TO是一种波长为1571.6nm的激光二极管,输出功率为0~0.0051W,工作电压为1~1.5V,工作电流为0.03 4~0.037A,阈值电流为8mA.有关QDFBLD-1570-5TO的更多详细信息,请联系我们。