Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列，工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数，元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装，非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列，具有16个元件，采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm，可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。

Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构，具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm，既可用于增益高达250或更高的正常线性模式，也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上，以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用，包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中，或者作为选项，它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。

Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管（APD），可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构，在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装，针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

Opto Diode Corporation的AXUV100TF030是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。其探测范围为1nm~12nm，响应度为0.16A/W@3nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

Opto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF，反向击穿电压为160V，上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

来自Opto Diode Corporation的AXUV63HS1-CH是波长范围为0.01至190 nm、电容为10 NF、暗电流为100 nA、上升时间为2 nsec、有源区直径为9 mm的光电二极管。有关AXUV63HS1-CH的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF，反向击穿电压为160V，上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm，响应度为1.65×104~2.5×104V/W，有效元件面积为36mm2，最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ，时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装，具有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外（NIR）增强型光电二极管，圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度，在850 nm时为0.62 A/W，在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流，在10伏时具有5皮法（PF）的低电容，以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件（SMD）封装。坚固的封装具有AR涂层窗口，可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准，并以卷带和卷盘形式提供。

Opto Diode Corporation的NXIR-RF100是一款光电二极管，波长范围为320至1100 nm，电容为3 PF，暗电流为0.1至0.75 nA，响应度/光敏度为0.35至0.62 A/W，上升时间为50 nsec.有关NXIR-RF100的更多详细信息，请联系我们。

Opto Diode Corporation的NXIR-RF100C是一款表面贴装光电二极管，工作波长为320至1100 nm.它的感光面积为1×1mm，灵敏度为0.62A/W（λ=850nm），0.35A/W（λ=1064nm）。光电二极管是激光监测、雨水和阳光传感器应用的理想选择。

Thorlabs公司的APD210是一款光电二极管，波长范围为400至1000 nm，带宽为1至1600 MHz，上升时间为500 PS.有关APD210的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc的FD05D是一款光电二极管，波长范围为800至2600 nm，电容为140 PF，暗电流为1µA，上升时间为17 ns.有关FD05D的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc的FD10D是一款光电二极管，波长范围为800至2600 nm，电容为500 PF，暗电流为3µA，上升时间为25 ns.有关FD10D的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc的FDG50是一款光电二极管，波长范围为800至1800 nm，电容为1800 PF，暗电流为60µA，上升时间为220 ns.有关FDG50的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc的FDGA05是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为10 PF，暗电流为6 nA，上升时间为2.5 ns.有关FDGA05的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs公司的FDS010是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为6 PF，暗电流为0.3 nA，上升时间为1 ns.有关FDS010的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs Inc的FDS1010-CAL是一款光电二极管，波长范围为350至1100 nm，电容为375 PF，暗电流为600 nA，上升时间为65 ns.有关FDS1010-CAL的更多详细信息，请联系我们。

Thorlabs公司的FDS1010是一款光电二极管，波长范围为350至1100 nm，电容375 PF，暗电流600 nA，上升时间65 ns.有关FDS1010的更多详细信息，请联系我们。