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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2.5 to 11 pFVishay Intertechnology的BPW24R是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为2.5至11 PF，暗电流为2至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为7 ns.有关BPW24R的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的BPW46是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关BPW46的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的T1110P6是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至5 nA，上升时间为100 ns.有关T1110P6的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 960 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的T1113P是一款光电二极管，波长范围为960 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至5 nA，上升时间为100 ns.有关T1113P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 90 pFVishay Intertechnology的T1116P是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为30至90 PF，暗电流为2至5 nA，上升时间为40 ns.有关T1116P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 960 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 to 12 pFVishay Intertechnology的T1172P6是一款光电二极管，波长范围为960 nm，电容为5至12 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为625 ns.有关T1172P6的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 810 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.1 to 1.7 pFVishay Intertechnology的T1180P6是一款光电二极管，波长范围为810 nm，电容为1.1至1.7 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为1480 ns.有关T1180P6的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.9 to 1.4 pFVishay Intertechnology的T1187P6是一款光电二极管，波长范围为800 nm，电容为0.9至1.4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为2650 ns.有关T1187P6的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 730 pFVishay Intertechnology的T1610P是一款光电二极管，波长范围为560 nm，电容为730 PF，暗电流为2至5 nA，上升时间为100 ns.有关T1610P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 28 pFVishay Intertechnology的T1670P是一款光电二极管，波长范围为560 nm，电容为28 PF，暗电流为0.1至2 nA，上升时间为100 ns.有关T1670P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 570 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 28 pFVishay Intertechnology的T1677P是一款光电二极管，波长范围为570 nm，电容为28 PF，暗电流为0.1至2 nA，上升时间为100 ns.有关T1677P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 570 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 72 pFVishay Intertechnology的T1678P是一款光电二极管，波长范围为570 nm，电容为35至72 PF，暗电流为0.1至2 nA，上升时间为100至415 ns.有关T1678P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 to 3.3 pFVishay Intertechnology的T337P6是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为1.5至3.3 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为550至820 ns.有关T337P6的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1000是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1000的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1020是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1020的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1030是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1030的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1040是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1040的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.7 to 3.8 pFVishay Intertechnology的VEMD1060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为1.7至3.8 PF，暗电流为0.01至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD1060X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 to 3.8 pFVishay Intertechnology的VEMD1160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为1.8至3.8 PF，暗电流为0.01至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD1160x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5060X01的更多详细信息，请联系我们。
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