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DLD 008系列激光二极管驱动器可为用户提供高达8 A的极其稳定的低噪声输出电流。库存中有3种不同的标准版本,输出电流分别为3 A、5 A和8 A。这些范围内的任何电流水平均可在板上手动调节,也可通过外部控制电压调节。所请求的操作模式,即恒定电流和相应的恒定功率,由控制端子上的简单焊桥定义。高达100%的调制深度对于脉冲调制和模拟调制都是可能的。以高信号完整性传输从DC到100kHz的频率分量。具有非常短的响应时间的可调电流限制提供了安装防止激光二极管损坏的单独且有效的防火墙的可能性。该驱动器采用5 V单电源供电,对电源质量没有特殊限制。此功能允许连接工作电压高达2.5 V的所有单个激光二极管。特殊驱动器版本支持多达5个激光二极管的串联连接。
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激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片,在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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中心波长: 0.640um 输出功率: 60mW
iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源,目前可用于一系列不同的波长对,例如488/640nm和405/515nm,是荧光、光谱和计量应用的理想选择,也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出,具有“即插即用”多功能性,非常适合不断变化的需求和高性能标准的实验工作。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案,同时提供了比传统技术(如气体激光器)更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFLEX-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。