• HV94-1000P1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 940 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 2.5 A(max 10 sec)

    1 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片,温度 60 摄氏度

  • SR65-02E10 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 10 mA

    用于传感器的 650nm LED 芯片

  • V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00145,是波长为795nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.13mW,线宽≤100MHz,调制带宽≥3.4GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。

  • 电流-电压放大器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:ARI CORP

    PMT-5 是一款低噪声直流耦合电流电压放大器,具有较大的输入灵敏度范围:10pA/V 至 1uA 带宽限制为 300kHz

  • 单频高功率纳秒激光器 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    重复率: 10000 Hz 波长: 1064 nm 电源稳定性: 1 % 脉冲能量: 1mj 光束质量因子(M2): <1.2

    PULSELAS-A-1064-10W-SF™ 是一款功能强大的二极管泵浦单频纳秒激光系统,可在 10 kHz 脉冲重复频率下提供 1 mJ 的脉冲能量。它的工作基本波长为 1064 nm。频率转换为 532 nm、355 nm 和 266 nm 波长是可选的。这种激光器的独特特性,如近乎变换极限的光谱宽度、同时高平均功率和峰值功率、衍射极限输出光束等,使其成为众多科学和工业应用的理想选择,包括光学气象学、干涉测量、高分辨率激光光谱学、光纤通信、单脉冲全息术等。以太网连接允许即使在偏远、难以到达或危险区域也能轻松访问和控制激光系统。

  • 光束质量分析仪V1.0 光谱分析仪
    加拿大
    分类:光谱分析仪
    厂商:World Star Tech

    感谢您选择 World Star Tech BeamCam!BeamCam 经过专门设计,可帮助您获得对激光器光学特性的新知识。BeamCam 非常适合工业、质量保证或开发目的,可让您以 1280 x 1024 的分辨率查看光束的复杂细节,尺寸低至 6um。 随附的 PC 软件是您接触传感器的窗口。它以 2D 形式显示梁的轮廓。一维横截面轮廓沿任意线显示,或沿梁椭圆的 x 和 y 平面自动显示。实时显示基于轮廓的计算和波束宽度数据。 在设计光学系统时,指向稳定性是一个重要因素。该软件具有波束漂移测量功能,可记录光束在大时间跨度内的运动。

  • 3D坐标测量机TMM 1000 尺寸测量

    TMM 1000是一款高精度的3D坐标测量机,由Schneider Messtechnik GmbH制造,基于气浮轴承的移动轴设计,配有触摸探针、测量笔和参考球,适用于各种精密测量任务。

  • pco.edge 10 bi CLHS 高性能科学级CMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 4416x2368pixel 像元尺寸: 4.6µmx4.6µm 传感器尺寸: 20.3mmx10.8mm 传感器对角线: 23.0mm 动态范围: 15,385:1

    pco.edge 10 bi CLHS是一款下一代科学级CMOS相机,具有高动态范围、高帧率和低读出噪声的特点,采用背照式设计,提供高分辨率和温度稳定性。

  • pco.edge 10 bi LT CLHS高速sCMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 4416x2368 pixels 像元尺寸: 4.6µmx4.6µm 传感器尺寸: 20.3mmx10.8mm 传感器对角线: 23.0mm 快门类型: Rolling Shutter

    pco.edge 10 bi LT CLHS是一款高性能背照式sCMOS相机,具有高动态范围、低读出噪声和高分辨率的特点。适用于需要高速、高灵敏度成像的高端科研和工业应用。

  • pco.dicam C1 高速、高分辨率成像的增强型相机系统 科学和工业相机
    分辨率: 2048 x 2048 pixel 像素尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mm x 13.3mm / 18.8mm 帧率: 106 fps @ 2048 x 2048 pixel 动态范围: A/D 16 bit

    pco.dicam C1是首款利用科学CMOS传感器技术性能的增强型相机系统。通过25mm高分辨率增强器与高效率的串联透镜系统光学耦合到16位4 MPixel sCMOS传感器,使得此相机独一无二。10G光纤数据接口保证了通过光纤在几乎任何距离上无压缩且稳定的16位数据传输。

  • C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2

    Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构,提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中,正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米,C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中,可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

  • C30817EH series(系列)硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    封装: TO-5 有用面积: 0.5mm² 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132Degrees

    C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管,采用双扩散“穿透”结构制造,可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

  • C30884EH 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光敏表面有效面积: 0.5mm² 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290V

    C30884EH是一种硅雪崩光电二极管,具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造,优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块集成了APD、热电制冷器(TEC)以及放大电路,所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管(APD)设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度,并具有大约5纳秒的上升和下降时间,下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nm

    Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs)适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用,提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

  • SPCM-AQRH 单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    供电电压: 4.75-5.25V 供电电流: 0.4-1.2A 电源线总电阻: 0.1-0.2Ω 外壳工作温度: 5-70°C 活动区域直径: 170-180µm

    Excelitas Technologies最近改进的SPCM-AQRH单光子计数模块可以在400nm至1060nm的波长范围内检测单个光子,其性能参数优于其他固态或真空管基光子计数器。

  • SPCM-AQ4C 四通道阵列单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    供电电流: 1.0-3.0A@+2V, 0.20-1.0A@+5V, 0.01-0.04A@+30V 最大功率消耗: 2-6W@+2V, 1-5W@+5V, 0.3-1.2W@+30V 供电电压: 1.95-2.05V@+2V, 4.75-5.25V@+5V, 29-31V@+30V 外壳工作温度: 5-40ºC 每通道活动区域直径: 170-180µm

    SPCM-AQ4C是一款四通道阵列单光子计数模块,具有独立的硅雪崩光电二极管(SLiK),能在400nm至1060nm波长范围内检测单个光子。每个通道均独立。该模块具有热电冷却和温度控制功能,确保在环境温度变化时性能稳定。

  • C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

    Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长,适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

  • C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

    C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管,采用双扩散“穿透”结构,优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区,因此在视线中心没有响应损失。