• HG PHAROS 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    波长: 206-1030 nm

    配备自动谐波发生器(HG)的PHAROS激光器通过软件控制提供基波(1030 nm)、第二波(515 nm)、第三波(343 nm)、第四波(257 nm)或第五波(206 nm)谐波输出选择。 HG是需要单波长输出的工业应用的选择。模块直接安装在激光器的输出端,完全集成到系统中。

  • ORPHEUS-F 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    可调谐: 短脉冲模式:630 –900 nm (信号光) 1200 – 2500 nm (闲频光) 长脉冲模式:650 –1010nm (信号光) 1050 – 2500 nm (闲频光) 脉冲能量: 10-500 nJ 泵浦功率: 80 W

    ORPHEUS-F是一个混合型光学参数放大器(OPA),结合了非共轭OPA(NOPA)产生的短脉冲时间和共轭OPA提供的宽调谐范围。 ORPHEUS-F的信号脉冲可在650-900纳米范围内调谐,并可通过一个简单的基于棱镜的压缩器将脉冲持续时间压缩到25-70 fs。闲置脉冲可在1200-2500纳米范围内调谐,并达到40-100fs的脉冲持续时间。此外,长脉冲模式可用于访问900-1200纳米的调谐范围;因此,实现了无间隙调谐。 与标准的ORPHEUS模式相比,ORPHEUS-F提供了明显更短的脉冲,与非共轭的ORPHEUS-N相比,提供了更宽的调谐范围。因此,对于许多科学应用,ORPHEUS-F是较佳选择。 对于紧凑的单箱解决方案,请参考ORPHEUS-F配置的I-OPA。

  • ORPHEUS-MIR 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    可调谐: 2500 –4000 nm (信号光) 4000 – 10000 nm (闲频光) 脉冲能量: 200 µJ – 3 mJ 泵浦功率: 80 W 脉冲宽度: < 50 fs

    ORPHEUS-MIR是一个经过优化的光学参数放大器(OPA),用于有效地产生宽频带的近红外脉冲。该激光系统在2.5-10微米的调谐范围内提供超短脉冲,并以窄带宽的方式达到15微米。由于新颖的系统设计,ORPHEUS-MIR在输出端直接提供<100 fs的脉冲。信号和怠速输出可同时使用。该系统结构非常适用于高能量和高功率的PHAROS和CARBIDE飞秒泵浦激光器。 ORPHEUS-MIR是一个优秀的高重复率的光谱源,如二维红外(2D IR)和振动和频率生成(SFG)光谱。结合SHBC的窄带宽输出,它形成了一个紧凑的激光系统,用于SFG测量,在一次拍摄中覆盖大部分中红外光谱并提供高光谱分辨率。此外,它的高输出稳定性是快速和高质量SFG成像的关键。 此外,对于需要CEP稳定脉冲的中红外应用,ORPHEUS-MIR在整个2500-15000纳米范围内提供独特的CEP稳定选项。

  • TOPAS-PRIME-HE 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    脉冲能量: 60 mJ

    TOPAS-PRIME-HE是一款高能飞秒光参量放大器,以TOPAS-PRIME为基础,增加了一个高能低色散放大级,允许使用高达60 mJ的泵浦脉冲能量,同时在输出端保持尽可能短的脉冲。 标准型号TOPAS-PRIME-HE可接受高达15 mJ @ 35 - 70 fs(高达27 mJ @ 100 - 200 fs)的泵浦脉冲能量,而TOPAS-PRIME-HE-PLUS可接受更高的泵浦脉冲能量,高达35 mJ @ 35 - 70 fs(高达60 mJ @ 100 - 200 fs)。60 mJ的泵浦脉冲能量可通过更长的脉冲实现,约150 fs。两种型号都有波长扩展选项,TOPAS-PRIME-HE的波长范围为189 nm至20 μm,TOPAS-PRIME-HE-PLUS的波长范围为240 nm至20 μm。

  • TOPAS-SHBC-400 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    偏振: Vertical (Signal) Horizontal (Idler) 可调谐: 480 – 800nm(信号光) 800– 2400 nm(闲频光) 脉冲能量: 0.2 – 2.5 mJ 能量稳定性: < 6% RMS deviation @ 500 – 700 nm, 900 – 2000 nm 脉冲宽度: 20 – 200 fs

    TOPAS-SHBC-400结合了二次谐波带宽压缩器(SHBC)和光参量放大器(OPA),在光谱带宽为150 - 500 cm-1的飞秒脉冲泵浦下产生光谱带宽为3 - 20 cm-1的可调谐脉冲。该装置由飞秒Ti:Sapphire激光器的基谐波泵浦,波长范围为480-2400 nm。可选的混频器将调谐范围扩展至240 nm,最高可达10 μm。

  • OPCPA-HE 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    重复率: 10 Hz – 1 kHz

    高能阿秒脉冲产生、固体目标高次谐波产生和激光电子加速等应用都受益于少周期脉冲持续时间和出色的脉冲对比度,同时需要多毫焦脉冲能量。我们强大的高能OPCPA系统可在千赫兹重复率下扩展到多TW峰值功率,同时保持几周期的脉冲持续时间。因此,它们能够满足苛刻的要求,同时提供这种规模的系统前所未有的稳定性和可靠性。 此外,无需复杂和有损的非线性脉冲清洗技术,即可获得> 10¹²的预脉冲对比度,同时在全天运行过程中保持< 250 mrad的CEP稳定性和< 1.5%的脉冲能量稳定性,使其成为一个坚固可靠的多TW系统。

  • CRONUS-3P 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    类型: Laser System 可调谐: Yes 工作模式: Pulsed Laser 应用行业: Scientific 超快激光: Femtosecond Lasers

    CRONUS-2P是一款飞秒激光器,提供瓦级三同步输出,具有高重复率、短脉冲持续时间和GDD控制,是非线性显微镜的终极光源。在标准配置中,两个独立的可调谐输出可单独或同时工作,分别覆盖680 - 960 nm和960 - 1300 nm,而第三个输出固定在1025 nm,可并行访问。因此,CRONUS-2P可用于在多个荧光探针、钙离子指示剂或锇蛋白的吸收最大值处同时激发它们,而二次和三次谐波发射(SHG和THG)可进行光谱偏移,以方便检测或共振增强。 两个可同时调谐的通道还可实现先进的相干反斯托克斯和受激拉曼散射(CARS和SRS)应用,包括双波段成像、更广泛的振动共振频率选择、恒差双光束调谐、共振增强等。

  • IPSDS0701 超辐射发光二极管
    美国
    厂商:InPhenix
    类型: Corning HI780 or equivalent 中心波长: 750 nm 半高宽(FWHM): 10 nm

    美国Inphenix公司的宽带光源设备拥有超宽的带宽(如1250nm-1620nm SLD最大可达300nm带宽)和稳定的高功率。Inphenix宽带光源是基于Inphenix领先的超辐射发光二极管SLD SLED,可灵活定制以满足您对超带宽光源的苛刻需求。Inphenix宽带光源的波长范围从700nm到1700nm任您选择,其1310nm SLD 1550nm SLED 840nm 1050nm宽带光源设备的良好口碑广受赞誉,是理想的OEM集成宽带光源和台式宽带光源。

  • IPEVM 1020 半导体激光器驱动器
    美国
    厂商:InPhenix
    应用: Evaluation of InPhenix’s SLD Devices

    特点 可调正向电流高达 650mA* 温度控制在 25°C 单 +5V 电源输入

  • IPEVM 1010 半导体激光器驱动器
    美国
    厂商:InPhenix
    应用: Evaluation of InPhenix’s SOA Devices

    半导体光放大器 (SOAs) 特点 可调正向电流高达 650mA* 温度控制在 25°C 单 +5V 电源输入

  • IPEVM 1015 半导体激光器驱动器
    美国
    厂商:InPhenix
    应用: Evaluation of InPhenix’s SOA Devices

    可调正向电流高达 250mA* 温度控制在 25°C 单路+5V电源输入

  • AM85-1N104 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: 0-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5 V 电流: 12mA

    高度均匀性 每通道数据传输速率 > 2.5 Gbps 可根据要求提供其他配置

  • AM85-1AH104 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: 0-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5 V 电流: 10mA

    数据传输速率高达 14 Gbps 1x4 芯片 两个顶部接线焊盘

  • TP85-LCP1HA-xx-Os 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: 0-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5 V 电流: 10mA

    多模 850nm VCSEL 数据传输速率高达 10Gbps 高可靠性 VCSEL 可选柔性或引线型 可提供差分、阴极、阳极驱动 完全隔离 /VCSEL、m-PD、外壳 无衰减涂层 提供 LC/SC 型外壳

  • AP85-2M104/112 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    2.5/3.125Gbps砷化镓 1X4 / 1X12 PIN-PD 芯片阵列

  • AP85-1AH104 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    14Gbps砷化镓 1x4 PIN-PD 阵列芯片

  • RP85-LCT2HA-xx-Os 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C

    带前置放大器的 10Gbps GaAs PIN PD LC-ROSA

  • HV85-0010M1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 20mA

    10mW 850 nm VCSEL 芯片

  • HV85-0100M1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-75 Degree C 电流: 150mA

    用于传感器的 100mW 850 nm VCSEL 芯片

  • HV85-1000P1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5 V(max 10 sec) 电流: 2.5 A(max 10 sec)

    1 瓦 850 纳米 VCSEL 芯片,60 摄氏度