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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 9800 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DPI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为9800 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为1000 ns.有关PIN-10DPI的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 3200 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-220D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为600至3200 PF，暗电流为5至100 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为75 ns.有关引脚220D的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 410 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17000 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-220DP/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为17000 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为4µs.有关引脚220DP/SB的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1800 to 9500 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-25D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为1800至9500 PF，暗电流为15至1000 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为250 ns.有关引脚25D的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 to 25 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-2DI是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为5至25 PF，暗电流为0.10至1 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为10 ns.有关引脚2DI的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 to 45 pF来自OSI Laser Diode，Inc.的PIN-3CD是波长范围为970 nm、电容为12至45 PF、暗电流为0.15至2 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关引脚3CD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 to 45 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-3CDI是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为12至45 PF，暗电流为0.15至2 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为10 ns.有关PIN-3CDI的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 5 pF来自OSI Laser Diode，Inc.的PIN-5-YAG是波长范围为1000nm、电容为5pF、暗电流为40nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为10ns的光电二极管。下面可以看到PIN-5-YAG的更多详细信息。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 410 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 450 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-5DP/SB是一款光电二极管，波长范围410 nm，电容450 PF，响应度/光敏度0.15至0.20 A/W，上升时间0.2µs.有关引脚5DP/SB的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 to 330 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-6D是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为60至330 PF，暗电流为0.5至10 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为17 ns.有关引脚6D的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 to 330 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-6DI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为60至330 PF，暗电流为0.5至10 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为17 ns.有关引脚6DI的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管，波长范围为1000至1800 nm（InGaAs），电容为450 PF（Si-TOP）、300 PF（InGaAs），响应度/光敏度为0.55 A/W（Si-TOP）、0.6 A/W（InGaAs），上升时间为4µs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSIN是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm（Si-TOP）、1000至1800 nm（InGaAs），电容为450 PF（Si-TOP）、300 PF（InGaAs），响应度/光敏度为0.55 A/W（Si-TO-P）、0.6 A/W（InGaAs），上升时间为4µs.有关PIN-DSIN的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSS是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm（Si-TOP）、950至1100 nm（Si），电容为70 PF，响应度/光敏度为0.45 A/W（Si-TOP）、0.12 A/W（Si），上升时间为10µs（Si-TO）、150µs（Si）。有关PIN-DSS的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 125 pF 暗电流: 15 to 30 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的QD50-0是波长范围为900 nm、电容为125 PF、暗电流为15至30 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD50-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 4 to 15 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的QD7-0是波长范围为900 nm、电容为20 PF、暗电流为4至15 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD7-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 375 pF 暗电流: 600 nAOSI Laser Diode，Inc.的S-100CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为375 PF，暗电流为600 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-100CL的更多详细信息见下文。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8500 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的S-100VL是一种波长范围为970 nm、电容为8500 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-100VL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 pF 暗电流: 40 nAOSI Laser Diode，Inc.的S-10CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为30 PF，暗电流为40 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-10CL的更多详细信息见下文。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 750 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的S-10VL是一款波长范围为970 nm、电容为750 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-10VL的更多详细信息，请联系我们。
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