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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 暗电流: 2 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pFOSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.01 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的LSC-5D是一款光电二极管，波长范围670 nm，电容50 PF，暗电流0.01至10 nA，响应度/光敏度0.35至0.42 A/W，上升时间0.25µs.有关LSC-5D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 12 pF 暗电流: 1 to 3 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-0是波长范围为900 nm、电容为3至12 PF、暗电流为1至3 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关OSD1-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 1000 pF 暗电流: 30 to 70 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-0A是波长范围为900 nm、电容为130至1000 PF、暗电流为30至70 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为19 ns的光电二极管。有关OSD100-0A的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 暗电流: 30 nA
OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-5TA是一款光电二极管，波长范围436nm，电容2500 PF，暗电流30 nA，响应度/光敏度0.18至0.21 A/W，上升时间45µs.有关OSD100-5TA的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 390 pF 暗电流: 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD15-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为390 PF，暗电流为10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为12µs.有关OSD15-5T的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 390 pF 暗电流: 2 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD15-E是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为80至390 PF，暗电流为2至10 nA，响应度/光敏度为33 nA/Lux.有关OSD15-E的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 50 pF 暗电流: 5 to 10 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD5-0是波长范围为900 nm、电容为8至50 PF、暗电流为5至10 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为8 ns的光电二极管。有关OSD5-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 350 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 85 pF 暗电流: 0.25 to 3 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSI-515是一款光电二极管，波长范围为350至1100 nm，电容为15至85 PF，暗电流为0.25至3 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.OSI-515的更多详细信息见下文。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 pF 响应度/光敏度: 0.025 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的PIN-005D-254F是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为100 PF，响应度/光敏度为0.025 A/W，上升时间为0.1µs.有关PIN-005D-254F的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 410 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN 040DP/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为60 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为0.02µs.有关PIN-040DP/SB的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 25 pF来自OSI Laser Diode，Inc.的PIN-100-YAG是波长范围为1000nm、电容为25pF、暗电流为75至1000nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为30ns的光电二极管。下面可以看到PIN-100-YAG的更多详细信息。
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波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.4 to 0.27 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的PIN-10AP-1是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为1500 PF，响应度/光敏度为0.4至0.27 A/W，上升时间为0.15µs.有关引脚10AP-1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN 10D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为300至1500 PF，暗电流为2至25 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为43 ns.有关引脚10D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.15 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DF是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为1500 PF，响应度/光敏度为0.15 A/W，上升时间为1µs.有关引脚10DF的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为300至1500 PF，暗电流为2至25 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为43 ns.有关引脚10DI的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 410 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8800 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DP/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为8800 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为2µs.有关引脚10DP/SB的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 9800 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DP是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为9800 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为1000 ns.有关引脚10DP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 410 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8800 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DPI/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为8800 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为2µs.有关引脚10DPI/SB的更多详细信息，请联系我们。
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