• VEMD8080 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 42 pF 暗电流: 0.2 nA

    Vishay Intertechnology的VEMD8080是一款硅PIN光电二极管,峰值波长为850 nm.它是一种薄型表面贴装器件(SMD),包括具有4.5 mm2敏感区域的芯片,可检测可见光和近红外辐射。它的正向电压为1.2V,反向暗电流为0.2nA,光谱带宽为350~1100nm.这款光电二极管采用表面贴装封装,尺寸为4.8 X 2.5 X 0.48 mm,非常适合高速光电探测器、可穿戴应用等。

  • MT03-018 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    来自Marktech Optoelectronics的MT03-018是一款光电二极管,波长范围为250至1100 nm,电容为50至130 PF,暗电流为0.1至10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-018的更多详细信息见下文。

  • MT03-022 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    来自Marktech Optoelectronics的MT03-022是一款光电二极管,波长范围为250至1100 nm,电容为50至130 PF,暗电流为0.1至10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-022的更多详情见下文。

  • MT03-023 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    来自Marktech Optoelectronics的MT03-023是一款光电二极管,波长范围为250至1100 nm,电容为6至20 PF,暗电流为0.2至10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-023的更多详情见下文。

  • MT03-036 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    来自Marktech Optoelectronics的MT03-036是一款光电二极管,波长范围为250至1100 nm,电容为50至130 PF,暗电流为0.1至10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-036的更多详情见下文。

  • MTAPD-06-001 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-001的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-002 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-002是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-002的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-003 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-003是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-003的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-004 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-004是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-004的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-005 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-005是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-005的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-006 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-006是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-006的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-007 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-007是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-007的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-008 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-008是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-008的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-009 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-009是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-009的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-010 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-010是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-010的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-011 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-011是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-011的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-012 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-012的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-013 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-013是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-013的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-014 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-014是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-014的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-015 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 905 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-015是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-015的更多详细信息,请联系我们。