10【参数，厂家，图片，选型】-光电查

定制的光纤耦合激光源型号QTFS-405-LD/LD-04-410

美国

分类：半导体激光器

厂商：QPhotonics

激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Multi-Mode 波长: 410nm 输出功率: 50mW 纤维芯直径: 62.5um

定制光纤耦合激光源型号：QTFS-405-LD/LD-04-410

DI-1000光纤检测探针

美国

分类：光纤检测工具

厂商：LIGHTEL

可接受的纤维直径: 80 - 800 um

符合人体工程学设计的DI-1000是Lightel的全数字视频显微镜探头。它通过计算机的USB2.0端口直接连接到您的PC。DI-1000套装包括我们的免费ConnectorViewTM（标准）软件，提供数字变焦、图像显示、图像捕捉、自动校准和基本分析工具，具有简单的单指对焦、内置图像冻结/捕捉按钮和0.5µm的可检测分辨率。我们可选的ConnectorView Plus分析软件为DI-1000增加了通过/失败分析和详细报告功能。

Diadem IR-10: 飞秒激光器

美国

分类：激光器模块和系统

厂商：RPMC Lasers Inc.

波长: 1030nm 平均值功率: 30W 重复频率: 0 - 2000 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 0.0004ns

Spark Lasers是锁模光纤激光器的专家，提供DIADEM IR系列紧凑型飞秒（FS）激光器，用于光遗传学和微加工应用。DIADEM是一种非常紧凑的高能量超快激光器，用于需要短飞秒激光脉冲宽度的先进微加工应用。DIADEM-IR10提供10µJ高达1MHz。DIADEM激光系列具有低于400fs的脉冲和从单次发射到2 MHz的重复速率能力，以及m²1.2的卓越光束质量。DIADEM激光系列将较先进的动态脉冲控制电子设备与紧凑、用户友好的设计相结合，只需不到5分钟的设置时间。DIADEM IR专为要求苛刻的应用而设计，如植入式医疗设备制造、豪华手表制造、用于仪器仪表和工业24/7 OEM工作操作的消费电子和光遗传学应用。

DLD 008系列高功率激光二极管驱动器

德国

分类：半导体激光器配件

厂商：Dr Heller Elektronik

DLD 008系列激光二极管驱动器可为用户提供高达8 A的极其稳定的低噪声输出电流。库存中有3种不同的标准版本，输出电流分别为3 A、5 A和8 A。这些范围内的任何电流水平均可在板上手动调节，也可通过外部控制电压调节。所请求的操作模式，即恒定电流和相应的恒定功率，由控制端子上的简单焊桥定义。高达100%的调制深度对于脉冲调制和模拟调制都是可能的。以高信号完整性传输从DC到100kHz的频率分量。具有非常短的响应时间的可调电流限制提供了安装防止激光二极管损坏的单独且有效的防火墙的可能性。该驱动器采用5 V单电源供电，对电源质量没有特殊限制。此功能允许连接工作电压高达2.5 V的所有单个激光二极管。特殊驱动器版本支持多达5个激光二极管的串联连接。

DPGAx1S03H 脉冲激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

DPGAx1S09H 脉冲激光二极管

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

DPGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

DPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

EMU-120/65埃切莱特光谱仪

美国

分类：光谱仪

厂商：Catalina Scientific Instruments

单色仪类型: Not Specified 有效焦距: 120mm 光栅炽热波长: 600nm 光谱范围: 190 - 1100 nm

EMU-120/65设计用于f/3或更快的输入光学器件，使其具有任何宽带阶梯光栅摄谱仪的较高光学扩展量（数值孔径X狭缝面积）。EMU-120/65的吞吐量通常比其他宽带中阶梯光栅仪器高10倍至20倍。凭借其高光学扩展量，EMU-120/65是先进台通用于LIBS（激光诱导击穿光谱）和拉曼应用的中阶梯光栅光谱仪。EMU-120/65设计用于可选通EMCCD相机，在一次曝光中以波长或拉曼位移的线性单位覆盖探测器的整个范围（UV-VIS-NIR）。