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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes
Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为0.5ns,带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为2-15 PF,暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm,有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes
Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为2ns,带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为9-60 PF,暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm,有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs
Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。
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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes
Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pF
OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管,工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm,并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装,具有宽带双面AR涂层平面窗口,非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。