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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.95 µm 光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3
Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器,覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器,孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC(温度通量补偿)组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源,采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon
Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。
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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF
Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。
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波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W
Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。