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材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 VEver Light的PT2559B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT2559B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 VEver Light的PT5529B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT5529B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: YesKingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA，功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: YesKingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: YesKingbrightUSA的AP2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AP2012P3C的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: YesKingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: YesKingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: YesKingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes
来自KingbrightUSA的KP-3216P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关KP-3216P3C的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes
来自KingbrightUSA的kPa-3010P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关kPa-3010P3C的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes
KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes
来自KingbrightUSA的L-7113P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5至2.5 mA.有关L-7113P3C的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: YesKingbrightUSA的WP3DP3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA，功耗100 MW.有关WP3DP3BT的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: YesKingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.7至3 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息，请联系我们。
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材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: YesKingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.5至2.5 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1 to 5.6 µm 光纤模式: Single Mode, Multi Mode Level Accuracy: ±0.4 dB 偏振相关性: ±0.1 dB RoHS: YesThorlabs Inc的OSA305是一款光谱分析仪，可测量1至5.6µm的波长。它的光学灵敏度范围为-75至-65 dBm/nm，动态范围为40 dB.该光谱分析仪的光谱准确度为±0.2ppm，光谱精度为0.2ppm.它的功率电平精度为±0.4 dB，偏振相关性为±0.1 dB.该频谱分析仪支持FC/APC和FC/PC光纤连接器。OSA305具有用于宽工作范围的多探测器操作和用于外部同步的触发输入。它具有用于光学净化的内置软管连接和一个自由空间输入端口，该端口带有四个4-40分接头，用于60 mm笼式系统兼容性。该频谱分析仪需要100-240 V的交流电源，功耗高达250 W.它采用台式模块，尺寸为541 X 224 X 533 mm，是光学研究、测量、仪器仪表和生产应用的理想选择。
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波长范围: 1526.44 to 1568.77 nm 波长分辨率: 2.4 pm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 40 to 50 dBViavi Solutions Inc.的OSA-610是一款光谱分析仪，波长范围为1526.44至1568.77 nm，波长分辨率为2.4 pm，动态范围为40至50 dB，扫描时间测量时间：分钟1.0秒，光功率范围为-60 dBm至10 dBm.有关OSA-610的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 600 to 1700 nm 波长分辨率: 0.02 to 2 nm 波长精度: ±0.02 to 0.10 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 50 to 78 dB横河电机公司生产的AQ6370D是一款光谱分析仪，其波长范围为600~1700nm，波长分辨率为0.02~2nm，波长精度为±0.02~0.10nm，动态范围为50~78dB，扫描时间为0.2S、1s、5S、20s、75s.有关AQ6370D的更多详细信息，请联系我们。
