• BPW76B 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85A 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85A的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85B 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85B的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85C的更多详细信息,请联系我们。

  • T1070P 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的T1070P是一款光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为6 V,集电极暗电流为3至50 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.1 V,发射极集电极电压(击穿)为1.5 V,波长(光谱灵敏度)为440至800 nm.有关T1070P的更多详细信息,请联系我们。

  • T1090P6 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的T1090P6是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为80 V,集电极暗电流为1至50 nA,发射极集电极电压(击穿)为7.8 V,波长(光谱灵敏度)为620至1000 nm.有关T1090P6的更多详细信息,请联系我们。

  • T5096P 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为85 V,集电极暗电流为1至50 nA,发射极集电极电压(击穿)为7.8 V,波长(光谱灵敏度)为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息,请联系我们。

  • TEFT4300 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息,请联系我们。

  • TEMT1000 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。

  • TEMT1020 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1020是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1020的更多详细信息。

  • TEMT1030 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1030是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1030的更多详细信息。

  • TEMT1040 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1040是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1040的更多详细信息。

  • TEMT7100ITX01 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT7100ITX01是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为20 V,发射极集电极电压(击穿)为7 V,功耗为100 MW,波长(光谱灵敏度)为750至1010 nm.有关TEMT7100ITX01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMT3700F 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管,光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片,并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极(C-E)击穿电压为70 V,C-E暗电流高达200 nA,C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs,截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装,尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm,非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

  • MTD6000PT-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8000N4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600N-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm,开关时间(上升/下降)为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA,C-E饱和电压为0.2 V,集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装,尺寸为Ø5.4 mm,是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

  • MTD8600N4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600T-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息,请联系我们。