• SFH 325 光电晶体管
    奥地利
    分类:光电晶体管
    厂商:ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 35 V

    OSRAM的SFH 325是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)35 V,集电极暗电流1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)150 MV,发射极集电极电压(击穿)35 V,功耗165 MW.SFH 325的更多细节可以在下面看到。

  • SFH 3400 光电晶体管
    奥地利
    分类:光电晶体管
    厂商:ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 to 70 V

    欧司朗的SFH 3400是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为20至70 V,集电极暗电流为3至10 nA,集电极发射极电压(饱和)为170 MV,发射极集电极电压(击穿)为7 V,功耗为120 MW.有关SFH 3400的更多详细信息,请联系我们。

  • SFH 3600 光电晶体管
    奥地利
    分类:光电晶体管
    厂商:ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 35 V

    欧司朗的SFH 3600是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)35 V,集电极暗电流1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)150 MV,发射极集电极电压(击穿)7 V,功耗130 MW.有关SFH 3600的更多详细信息,请联系我们。

  • SFH 3605 光电晶体管
    奥地利
    分类:光电晶体管
    厂商:ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 35 V

    OSRAM的SFH 3605是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)35 V,集电极暗电流1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)150 MV,发射极集电极电压(击穿)7 V,功耗130 MW.有关SFH 3605的更多详细信息,请联系我们。

  • AA3528P3S 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA,功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息,请联系我们。

  • AM4457P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA,功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • AP1608P1C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息,请联系我们。

  • AP2012P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP2012P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA,功耗100 MW.有关AP2012P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • APA3010P3BT-GX 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息,请联系我们。

  • APT2012P3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP3DP3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP3DP3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.2 mA,功耗100 MW.有关WP3DP3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP7113P3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.7至3 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP7113P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.5至2.5 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • AQ6374 光谱分析仪
    波长范围: 350 to 1750 nm 波长分辨率: 0.05 to 10 nm 波长精度: ±0.2 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 60 dB

    Yokogawa Meter&Instruments的AQ6374是一款光谱分析仪,可以评估350至1750 nm的可见光和光通信波长。它具有60dB的宽动态范围和0.05~10nm的高波长分辨率。该分析仪的最大分辨率为2 pm,能够对多达100,000个波长点的功率水平进行采样,因此只需一次扫描即可精确评估和分析各种波长。AQ6374可用于开发分布式半导体器件,如仅发射一种波长的反馈激光二极管(DFB-LD)以及需要在宽波长范围内进行测量的光纤。AQ6374带有两个额外的增强功能。第一个是清除单色仪中捕获的水蒸气的功能,单色仪可以抑制某些波长的光的吸收。第二个功能是减少波长为入射光2–3倍的高阶衍射光的影响,这是所有单色仪因其设计原理而具有的特性。它非常适合半导体和光纤激光器的发射光谱测量以及光纤和光学滤波器的波长传输特性测量。

  • AQ6380 光谱分析仪
    波长范围: 1200 to 1650 nm 波长分辨率: 0.005 to 2 nm 波长精度: 0.005 to 0.05 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 45 to 65 dB

    横河电机(Yokogawa Electric Corporation)的AQ6380是一款光谱分析仪,工作波长为1200至1650 nm.它的波长分辨率为0.005-2 nm,步长为0.01 nm,波长精度高达±0.005-±0.05 nm,近动态范围高达65 dB.该频谱分析仪的光回波损耗为30dB,电平灵敏度为-85dB(传统模式)和-72dB(快速模式)。它的最短预热时间为1小时,测量时间为0.2秒。该频谱分析仪需要100至240 V的交流电源,功耗高达100 W.它可以通过以太网、GP-IB、USB和VGA接口进行远程控制,也可以通过10.4英寸彩色LCD触摸屏进行手动控制。AQ6380集成了智能化和功能,包括自动波长校准和优化的扫描速度,可实现更高效的操作。它还包括气体净化机制、全自动波长校准、与高分辨率和高样本计数的兼容性以及单模光纤输入。这款频谱分析仪采用台式模块,尺寸为426 X 221 X 459 mm,配有FC/PC或SC/PC连接器,非常适合WDM测试、DFB-LD测试、LED测试、FP-LD测试、应用管理(添加/删除)和光纤检测应用。

  • MS9740B-009 光谱分析仪
    日本
    分类:光谱分析仪
    厂商:安立公司
    波长范围: 600 to 1750 nm 波长精度: ±50 to ±300 ppm 光纤模式: Multi Mode 动态范围: 53 to 70 dB 扫描时间: 0.2 to 1.65 s

    安立公司(Anritsu Corporation)的MS9740B-009是一款光谱分析仪,可测量600至1750 nm的波长。它的光学灵敏度范围为-90至+23 dBm,动态范围为57-70 dB.该频谱分析仪的波长精度为±50至±300 pm,波长稳定性为±5 pm.它具有超过32dB的光回波损耗和0.2至0.65秒的扫描时间。该频谱分析仪支持SM光纤、50μm/125μm GI光纤、62.5μm/125μm GI光纤、PC连接器SM和GI光纤。它可以通过以太网和GPIB接口进行远程控制,并支持连接到外部VGA显示器。MS9740B-009具有支持调制信号的信号电平积分功能,并可以使用噪声拟合函数准确估计噪声位置。它支持光轴对准、波长校准和有效分辨率校准功能。该频谱分析仪具有用于评估器件的光学有源器件(LD模块、DF-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、OPT AMP和WDM滤波器)测量菜单屏幕。它支持关键评估项目的一次性测量,如光学中心波长、电平、OSNR、光谱宽度等,并在一个屏幕上显示这些结果。该频谱分析仪需要100-120 V或200-240 V的交流电源,功耗为75 W.它采用台式模块,尺寸为426 X 177 X 350 mm,具有FC、SC、ST和DIN光纤连接器。该频谱分析仪是光收发器测量、LD模块测试分析、光学芯片/CAN器件评估、EDFA分析、光学放大器应用分析、窄带滤波器分析、透射率评估、插入损耗评估和WDM应用的理想选择。

  • MS9740B 光谱分析仪
    日本
    分类:光谱分析仪
    厂商:安立公司
    波长范围: 600 to 1750 nm 波长精度: ±20 to ±300 ppm 光纤模式: Multi Mode 动态范围: 42 to 70 dB 扫描时间: 0.2 to 1.65 s

    MS9740B是一款光谱分析仪,工作波长范围为600 nm至1750 nm,可准确验证和改进5G和云通信系统中设计的100G/400G光模块的上市时间。台式OSA具有超过70dB的宽动态范围,测量处理时间小于0.35S(扫描30nm波长)。它具有低至–90 dBm的光学灵敏度,并且可以在45 dB或更高的情况下进行精确的边模抑制比(SMSR)测量。光谱分析仪专为高通量生产环境而设计。它支持多模光纤输入,是制造和评估850-nm波段VCSEL模块的理想选择。MS9740B支持九种应用测量模式,包括LD模块、DFB-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、光放大器(NF和增益)和WDM滤波器。

  • 771 NIR2 光谱分析仪
    美国
    分类:光谱分析仪
    波长范围: 1 to 2.6 µm 波长分辨率: 4 nm 波长精度: ±0.0002 to ±0.0008 nm 测量单位: nm, µm, cm-1, GHz, THz 操作系统: Windows 10

    Bristol Instruments的771 NIR2是一款激光光谱分析仪,工作波长为1至2.6µm.它可以读取最小功率为0.07-0.27μW的CW、准CW(重复频率>10MHz)和脉冲(重复频率>50kHz,脉冲长度>50ns)输入。该频谱分析仪的精度可达±0.75ppm,频谱分辨率为4GHz,光抑制比超过40dB.预热时间小于15分钟,测量时间小于2秒。该频谱分析仪需要90-264 V的交流电源,功耗高达50 W.它可以通过USB和以太网接口进行控制。771 NIR2将成熟的迈克尔逊干涉仪技术与快速傅里叶变换分析相结合,使仪器既可用作高分辨率频谱分析仪,又可用作高精度波长计。它具有用于连续校准的内置波长标准。这款频谱分析仪采用台式模块,尺寸为142 X 165 X 381 mm,带有预对准的FC/UPC或FC/APC连接器。

  • SLD-840-14BF-2 超辐射发光二极管
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    光纤模式: Single Mode, Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW/Pulsed

    来自Nolatech的SLD-840-14BF-2是一种超发光二极管,在840nm下工作时可提供2mW的输出功率。该二极管采用14引脚标准蝶形封装,配有监控光电二极管和热电冷却器(TEC)。模块尾纤为0.7-1.0米单模保偏光纤,并通过FC/APC连接器连接。它是光纤传输系统、光纤陀螺仪、光纤传感器、光学相干层析成像、光学测量的理想光源。

  • SLD-840-14BF-5 超辐射发光二极管
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    光纤模式: Single Mode, Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW/Pulsed

    来自Nolatech的SLD-840-14BF-5是中心波长为820nm的超发光二极管。它提供5mW的连续/脉冲输出功率,光谱宽度为20-30nm.该SLD具有内部监控光电二极管(PD)和热电冷却器(TEC)。它的热阻为10千欧姆,最小消光比为17分贝。该SLD的最大正向电压为2.5 V,最大正向电流为300 mA.它采用14引脚标准蝶形封装,尺寸为44 X 30 X 10.5 mm,具有Ø0.9 mm SM/PM光纤。该SLD是光纤陀螺仪的理想选择,可作为光纤传输系统、光纤传感器、光学相干层析成像和光学测量应用的光源。