• TEMT7100ITX01 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT7100ITX01是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为20 V,发射极集电极电压(击穿)为7 V,功耗为100 MW,波长(光谱灵敏度)为750至1010 nm.有关TEMT7100ITX01的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD6000PT-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8000N4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600N4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600T-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600T4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • OP552A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552A的更多详情,请联系我们。

  • OP552B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552B的更多详情,请联系我们。

  • OP552C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552C的更多详情,请联系我们。

  • OP552D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552D的更多详细信息,请联系我们。

  • OP800A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800A是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为3.6 mA,功耗为250 MW.有关OP800A的更多详细信息,请联系我们。

  • OP800B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800B是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA,功耗为250 MW.有关OP800B的更多详情,请联系我们。

  • OP800C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800C是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.9至3.6 mA,功耗为250 MW.有关OP800C的更多详细信息,请联系我们。

  • OP800D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800D是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.45 mA,功耗为250 MW.有关OP800D的更多详情,请联系我们。

  • OP800SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA,功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP801SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801SL的更多详情,请联系我们。

  • OP801WSL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801WSL的更多详情,请联系我们。

  • OP802SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2 mA至5 mA,功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情,请联系我们。

  • OP802WSL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2.5 mA,功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情,请联系我们。

  • OP803SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为4 mA至8 mA,功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情,请联系我们。