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光电探测器类型: PIN 波长范围: 4.3 to 4.5 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire
Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm,响应度为1.65×104~2.5×104V/W,有效元件面积为36mm2,最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ,时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装,具有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W
Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。
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模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon
Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块,可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2,输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns,峰值响应为0.72 A/W,偏置电压为10 V,暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器,可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器(SMA、F和ST型)和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作,封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.
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模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W
Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。