• 镜子和金属增强第一表面铝 涂层
    美国
    分类:涂层
    涂层类型: VIS - NIR 入射角: Not Specified 波长范围: 450 - 800 nm

    金属反射镜涂层通常用于需要非常宽的反射器或分束器的系统中。当经济的涂层特别重要时,金属涂层也可以是极好的选择。常见金属涂层应用的实例包括望远镜反射镜、中性密度滤光器和通用实验室反射镜。通常在ZC&R沉积的金属包括铝、铬、银、金和铬镍铁合金。增强的铝镜涂层的前表面在可见光谱(450-650nm)上平均反射93%。也可提供背面反射铝涂层。

  • MV 360垂直测量投影仪 显示技术

    Heinrich Schneider Messtechnik博士的现代测量投影仪具有突出的地位,并在精度、准确性和耐用性方面设定了标准。整个系统的精密设计、平板电脑上标配的M2测量软件以及高精度边缘传感器形成了一个理想的组合,可在生产和测量室中快速精确地使用。由于简单、直观的学习操作,这是一款适用于大量用户的精密测量设备,由于在生产附近进行测量,因此具有明显的优势。它们显著减少了您的非生产性时间,并为您节省了现金。在平板电脑上,尤其是高精度边缘传感器形成了理想的组合,可在生产和测量室中快速精确地使用。由于简单、直观的学习操作,这是一款适用于大量用户的精密测量设备,由于在生产附近进行测量,因此具有明显的优势。它们显著减少了您的非生产性时间,并为您节省了现金。

  • MV 600垂直测量投影仪 其他分类测量仪器

    Heinrich Schneider Messtechnik博士的现代测量投影仪具有突出的地位,并在精度、准确性和耐用性方面设定了标准。他们在精度、准确性和耐用性方面进行调整并制定标准。整个系统的精密设计、平板电脑上标配的M2测量软件以及高精度边缘传感器形成了一个理想的组合,可在生产和测量室中快速精确地使用。由于简单、直观的学习操作,这是一款适用于大量用户的精密测量设备,由于在生产附近进行测量,因此具有明显的优势。它们大大减少了您的非生产性时间,并为您节省现金。

  • PGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • PGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • PINAMP迷你DIL光学接收器 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1310/1550nm

    •高灵敏度/宽动态范围

  • 销魂的LDPA 0003R 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 1550nm

    OSI激光二极管公司LDPA 0003R PINFET为光接收机系统提供了出色的解决方案

  • PINFET光学接收器模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850, 1310, 1550nm

    OSI激光二极管公司PINFET为需要高灵敏度和的光接收器系统提供了出色的解决方案

  • PULSED 850nm仪器激光模块 半导体激光器
    美国
    输出功率: 1W 激光波长: 0.85um 脉宽: 50 - 50 ns 中心波长附近的调谐范围: <= 200nm

    OSI激光二极管公司S 850nm激光模块设计用于高光功率和低功率的光纤仪器

  • Qioptiq laserPLATE - 405nm 8-60mW 半导体激光器配件

    Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件,使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出,用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了,用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中,控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后,提供盖子以完成激光器外壳。

  • Qioptiq laserPLATE - 488nm 10-50mW 半导体激光器配件

    Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件,使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出,用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了,用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中,控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后,提供盖子以完成激光器外壳。

  • Qioptiq laserPLATE - 660nm 8-60mW 半导体激光器配件

    Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件,使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出,用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了,用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中,控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后,提供盖子以完成激光器外壳。

  • QPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • QSI RS 0.4 0.4MP冷却式CCD相机 科学和工业相机
    传感器类型: CCD # 像素(宽度): 784 # 像素(高度): 520 像素大小: 9um 峰值量子效率: 77%

    QSI RS 0.4型号相机采用40万像素柯达全画幅CCD图像传感器和微透镜技术。QSI RS 0.4具有高量子效率、宽动态范围、双读取速率和内部5位或8位彩色滤光轮,非常适合各种要求苛刻的科学、医疗、天文和工业成像应用。QSI RS系列的紧凑设计使RS 0.4在高性能、全功能科学CCD相机的成本和尺寸方面树立了新的标杆。QSI RS 0.4具有可选功能和可升级性,可根据您当前和未来的需求进行定制。RS 0.4相机系统由行业领先的图像采集软件支持,并提供完整的相机控制API,可用于创建自定义Windows或Linux应用程序。

  • 拉曼光纤激光器转换器Folr 激光器模块和系统
    俄罗斯
    厂商:FORC-Photonics
    放大器类型: Raman Amplifier 波长范围: 1240 - 1484 nm

    基于磷硅酸盐光纤(P掺杂)的高效多阶拉曼激光器可以在不同波长下产生。相对于掺锗光纤,拉曼频移为1330 cm-1,约为掺锗光纤的3倍,图中给出了双级联1.48µm拉曼光纤激光转换器的输出发射光谱。可以根据客户的要求改变波长区域。可通过Ge掺杂和P掺杂的组合来改变波长)。

  • RTA-AR180型偏转器 定位器
    比利时
    分类:定位器
    厂商:Newson NV
    光学角度范围: 10.3deg 最大载荷: 10g/cm^2 重复性: 3urad

    该电机能够自行处理后视镜位置,无需额外的调节或放大器板。这使得它成为设计通用和特定应用的扫描解决方案的简单工具。这些RTA(Rhothor有源)偏转器不依赖于传统的移动磁铁技术。取而代之的是专利动圈原理。智能偏转器配有一个同轴连接器,提供电源和数据连接。简单的调制电子设备允许用户将设定点数据直接发送到电机。后视镜定位由电机本身完成。

  • RTA-AR640型偏转器 定位器
    比利时
    分类:定位器
    厂商:Newson NV
    光学角度范围: 36.7deg 最大载荷: 10g/cm^2 重复性: 10urad

    该电机能够自行处理后视镜位置,无需额外的调节或放大器板。这使得它成为设计通用和特定应用的扫描解决方案的简单工具。这些RTA(Rhothor有源)偏转器不依赖于传统的移动磁铁技术。取而代之的是专利动圈原理。智能偏转器配有一个同轴连接器,提供电源和数据连接。简单的调制电子设备允许用户将设定点数据直接发送到电机。后视镜定位由电机本身完成。

  • RTA-AR800型偏转器 定位器
    比利时
    分类:定位器
    厂商:Newson NV
    光学角度范围: 45.8deg 最大载荷: 10g/cm^2 重复性: 12urad

    该电机能够自行处理后视镜位置,无需额外的调节或放大器板。这使得它成为设计通用和特定应用的扫描解决方案的简单工具。这些RTA(Rhothor有源)偏转器不依赖于传统的移动磁铁技术。取而代之的是专利动圈原理。智能偏转器配有一个同轴连接器,提供电源和数据连接。简单的调制电子设备允许用户将设定点数据直接发送到电机。后视镜定位由电机本身完成。

  • SCW 1397-CWDM * R 半导体激光器
    美国
    中心波长: 1270 - 1450 nm 输出功率: 8mW

    SCW 1397-CWDM*R激光二极管系列是1300nm高速单模边缘发射多量子

  • SCW 1532-500R 半导体激光器
    美国
    中心波长: 1.55um 输出功率: 500mW

    SCW 1532-500R激光二极管模块是高功率1550 nm Al RWG F/P激光二极管,封装在14