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  • FCI-InGaAs-300B1x4 光电二极管
    FCI-InGaAs-300B1x4
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300B1X4是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1X4的更多详细信息见下文。

  • FCI-InGaAs-300B1x8 光电二极管
    FCI-InGaAs-300B1x8
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1x8是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1x8的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-75-XX-XX 光电二极管
    FCI-InGaAs-75-XX-XX
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75-XX-XX是波长范围为900至1700 nm的光电二极管，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.75至0.90 A/W，上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75C-XX-XX 光电二极管
    FCI-InGaAs-75C-XX-XX
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75C-XX-XX是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03nA、响应度/光敏度为0.75至0.90A/W、上升时间为020ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75C-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-XXX-X Series 光电二极管
    FCI-InGaAs-XXX-X Series
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pF

    OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。

  • OSD1-E 光电二极管
    OSD1-E
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 7 to 35 pF 暗电流: 0.2 to 1 nA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-E是波长范围为550 nm、电容为7至35 PF、暗电流为0.2至1 nA、响应度/光敏度为2.2 nA/Lux的光电二极管。有关OSD1-E的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD15-E 光电二极管
    OSD15-E
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 390 pF 暗电流: 2 to 10 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD15-E是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为80至390 PF，暗电流为2至10 nA，响应度/光敏度为33 nA/Lux.有关OSD15-E的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD3-E 光电二极管
    OSD3-E
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 to 80 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD3-E是波长范围为550nm、电容为20至80pF、暗电流为0.5至2nA、响应度/光敏度为6.6nA/Lux的光电二极管。有关OSD3-E的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD5-E 光电二极管
    OSD5-E
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 130 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD5-E是波长范围为550nm、电容为35至130pF、暗电流为0.5至2nA、响应度/光敏度为11nA/Lux的光电二极管。有关OSD5-E的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD60-E 光电二极管
    OSD60-E
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 520 to 2500 pF 暗电流: 8 to 30 nA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD60-E是波长范围为550nm、电容为520至2500pF、暗电流为8至30nA、响应度/光敏度为56nA/Lux的光电二极管。有关OSD60-E的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-4X4D 光电二极管
    PIN-4X4D
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 75 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-4x4D是一款光电二极管，波长范围为850 nm，电容为75 PF，响应度/光敏度为0.35 A/W.有关PIN-4x4D的更多详细信息，请联系我们。

  • UDT-4X4D 光电二极管
    UDT-4X4D
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 810 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 pF 响应度/光敏度: 0.35 to 0.40 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的UDT-4x4D是一款光电二极管，波长范围为810 nm，电容为35 PF，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W.有关UDT-4x4D的更多详细信息，请联系我们。

  • SIC01XL-5 光电二极管
    SIC01XL-5
    奥地利
    分类：光电二极管
    厂商：Roithner Lasertechnik
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 221 to 358 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1900 pF

    Roithner Lasertechnik的SiC01XL-5是一款光电二极管，波长范围为221至358 nm，电容为1900 PF，暗电流为25.3 fA，响应度/光敏度为0.130 A/W.SiC01XL-5的更多详细信息见下文。

  • SIC01XL-A5 光电二极管
    SIC01XL-A5
    奥地利
    分类：光电二极管
    厂商：Roithner Lasertechnik
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 309000 to 367000 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1900 pF

    Roithner Lasertechnik的SiC01XL-A5是一款光电二极管，波长范围为309000至367000 nm，电容为1900 PF，暗电流为25.3 fA，响应度/光敏度为0.037 A/W.SiC01XL-A5的更多详细信息见下文。

  • 134Ax 光电二极管
    134Ax
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：Broadcom
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1260 to 1620 nm 光电二极管材料: InAIAs RoHS: Yes

    Broadcom的134AX是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm.有关134AX的更多详细信息，请联系我们。

  • LPD2014-4X 光电二极管
    LPD2014-4X
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LPD2014-4X是一款光电二极管，波长范围为1310至1550 nm.有关LPD2014-4X的更多详细信息，请联系我们。

  • LX3050 光电二极管
    LX3050
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：Broadcom
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Broadcom的LX3050是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LX3050的更多详细信息，请联系我们。

  • IPSDD0701 超辐射发光二极管
    IPSDD0701
    美国
    分类：超辐射发光二极管
    厂商：InPhenix
    光纤模式: SMF/PMF/MMF 类型: Fiber-Coupled SLED

    来自Inphenix的IPSDD0701是中心波长为750nm的超发光二极管（SLD）。它在单模操作中提供3mW的输出功率，10nm的光学带宽，并具有可选的后腔镜。该SLD具有高达0.20dB的剩余光谱调制深度和10kOhm的热敏电阻。它具有3.6 V的TeV驱动电压和1.5 A的TEC驱动电流。该SLD可以在单模、多模或偏振模式下工作。它采用14引脚DIL/14引脚BUT/8引脚BUT封装，是宽带光源、光纤传感器、生物医学成像设备和Oct系统照明的理想选择。

  • IPSDD0702 超辐射发光二极管
    IPSDD0702
    美国
    分类：超辐射发光二极管
    厂商：InPhenix
    光纤模式: SMF/PMF/MMF 类型: Fiber-Coupled SLED

    Inphenix的IPSDD0702是超辐射发光二极管，波长为770至800 nm，输出功率为1至3 MW，带宽（FWHM）为10至12 nm，工作电流为150至200 mA，正向电流为220 mA（最大电流）。有关IPSDD0702的更多详细信息，请联系我们。

  • IPSDD0703 超辐射发光二极管
    IPSDD0703
    美国
    分类：超辐射发光二极管
    厂商：InPhenix
    光纤模式: SMF/PMF/MMF 类型: Fiber-Coupled SLED

    来自Inphenix的IPSDD0703是波长为740至770 nm、输出功率为4至8 MW、带宽（FWHM）为11至14 nm、工作电流为120至200 mA、正向电流为200 mA（最大电流）的超辐射发光二极管。有关IPSDD0703的更多详细信息，请联系我们。