• SPL DP90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulse 波长: 898 to 912 nm 输出功率: 65 W 工作电流: 20 A 阈值电流: 300 mA

    来自OSRAM的SPL DP90_3是在898至912nm范围内工作的纳米堆叠脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为65瓦,脉冲宽度为100 ns,占空比为0.1%。该装置的平行和垂直光束发散度分别为10/25度。它具有3个垂直纳米堆叠的发射体,并且具有窄的发射宽度。该激光二极管以芯片形式提供,是闭路电视监控、激光雷达、预碰撞、ACC、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)和行人保护/车道偏离警告应用的理想选择。本产品的鉴定测试计划基于AEC-Q102《汽车应用分立光电半导体基于失效机理的应力测试鉴定》指南。

  • SPL DS90A_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    芯片技术: InGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 894 to 914 nm 输出功率: 105 to 145 W 工作电压: 8.3 V

    来自OSRAM的SPL DS90A_3是广泛用于各种汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管。它可以在高达40 A的高电流下工作,并实现125 W的典型输出功率。该激光器具有令人印象深刻的长寿命和高效率。其紧凑的尺寸允许在车辆内进行灵活的系统设计。得益于更高的输出,激光雷达系统可以可靠地探测到远距离的小物体和反射较差的物体,并在关键的驾驶情况下采取必要的行动。它是激光雷达、闭路电视监控和工业自动化应用的理想选择。

  • SPL LL90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 60 to 80 W 激光增益介质: InAIGaAs/GaAs 激光颜色: Infrared

    来自OSRAM的SPL LL90_3是在905nm的波长下操作的混合脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为70 W,脉冲宽度(FWHM)为40 ns.该激光二极管的光束发散角为15°(平行)和30°(垂直),上升时间为10ns,下降时间为45ns.它的孔径为200 X 10μm²,反向电流为10μA.该激光二极管具有应变InAlGaAs/GaAs QW结构并使用纳米堆叠激光技术。它具有3个外延堆叠的发射极和一个用于脉冲控制的集成驱动级、FET和电容器。它需要20 V直流电源,采用4.9 X 2.4 X 5 mm的小尺寸塑料封装。该激光二极管适用于电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、高棚工业、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC、安全和CCTV应用。

  • SPL TL90AT08 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A

    欧司朗的SPL TL90AT08是一款纳米堆叠脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的激光孔径(FWHM)为220μm(平行)和10μm(垂直)。该激光二极管的阈值电流为0.6 A,反向电压为3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.该激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,非常适合3D传感、CCTV监控、电子设备、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC和测量调平应用。

  • SPL UL90AT08 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 125 W 工作电压: 11 V 工作电流: 40 A 阈值电流: 0.6 A

    欧司朗的SPL UL90AT08是一种脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它的峰值输出功率为120W,脉冲宽度为1-100ns,光谱带宽为7nm.该激光二极管具有3个外延堆叠的发射器,光束发散角(FWHM)为10°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流高达0.6 A,反向电压低于3 V.它需要11 V的直流电源,正向电流高达40 A.这款激光二极管采用TO-56封装,尺寸为Ø5.6 X 10 mm,是3D传感、闭路电视监控、电子设备、激光雷达、预碰撞、ACC、测量水平和工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)应用。

  • C-RED 2 ER 科学和工业相机
    美国
    数据接口: LVDS, USB 3.1, Camera Link 相机类型: Hyperspectral Cameras, Microscopy Cameras 传感器类型: InGaAs 探测器类型: PIN Photodiode detector 快门类型: Electronic Shutter

    First Light Imaging的C-Red 2 ER是一款基于InGaAs的短波红外相机,工作范围为1.3至2.2µm.它具有超过70%的量子效率,并且可以在具有60个电子读出噪声的情况下以60fps运行。该相机集成了640 X 512 InGaAs PIN光电二极管探测器,像素间距为15µm,可实现高分辨率。它具有速度高达5µs的电子快门,并支持LVTTL/LVDS同步。该传感器可在32 X 4帧中以高达32066 FPS的帧速率捕捉图像,在320 X 256帧中以高达1779 FPS的帧速率捕捉图像。C-RED 2 ER采用交换优化外壳,尺寸为55 X 75 X 140 mm,带C-Mount光纤接口。该相机与µManager的SDK兼容,还支持LabVIEW和MATLAB软件。它非常适合用于自适应光学、超光谱成像、多光谱成像、激光通信、质量/生产控制、激光探测、Oct成像、光谱学、荧光显微镜、激光雷达和远程成像应用。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • SAH1L12-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nA

    Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列,工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数,元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装,非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

  • SAH1L16-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列,具有16个元件,采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm,可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。

  • SAP500-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。

  • 5021T-A 光纤发射器
    美国
    分类:光纤发射器
    应用: Radar Testing, Signal Processing, Phased Array Antennas, Phase Noise Processing, Military Communications, Telemetry, Tracking & Control 纤芯直径: 9/125 µm 光纤模式: Single Mode Transmitter Type: Distributed Feedback Laser Diode Transmitter 波长范围: 1310 nm

    EMCORE的5021T-A是一款3 GHz、1310 nm光纤发射机,可为雷达测试、信号处理、相控阵天线和相位噪声测试提供无与伦比的性能。这种坚固耐用的器件消除了替代收发器技术中固有的许多问题。Emcore的光纤发射器提供基本上独立于光纤长度、损耗或延迟的带宽,以及不可测量的三重传输信号。

  • Altimeter Optical Delay Line 光学延迟线
    以色列
    分类:光学延迟线
    厂商:RFOptic
    应用: Radar Calibration Testing, Altimeter 延迟精度: <0.1% 类型: Variable 输入VSWR: 2.10:1 输出VSWR: 2.10:1

    RFOptic的测高仪光学延迟线工作频率为0.1至6 GHz.它可以配置为形成1ft、2ft等的自定义延迟,延迟范围为1至100,000 ft,延迟精度为0.1%。该光延迟线可以处理20dBm的最大输入功率和2.1的VSWR,切换时间为10ms.它的相位噪声为-130 DBC/Hz,杂散水平为-80 dBm.该ODL使用单模光纤提供宽带RF信号的真实时间延迟。它可以通过USB接口进行控制。高度表光学延迟线支持单延迟ODL配置,使用前面板、导航开关和LCD显示器或通过USB连接进行控制和监控。该ODL需要110/220 V的交流电源,采用19英寸机架式封装。它可以通过SMA或N型RF连接器连接,是雷达校准测试和高度计应用的理想选择。

  • Ku Band Optical Delay Lines 光学延迟线
    以色列
    分类:光学延迟线
    厂商:RFOptic
    应用: Radar Calibration testing, Signal and Phase Noise processing, Extension of radar range site, Clutter Canceler, EW systems, Altimeter 延迟范围: 0.001 to 500 µsec 延迟精度: <0.5% 类型: Variable 输入VSWR: 2.10:1

    RFOptic的Ku波段光学延迟线是工作频率为0.1至18GHz的光学延迟线。它们可以配置为形成多达4,096个延迟,延迟范围为0.00 1至500μs,延迟精度为0.5%。这些光延迟线可以处理20dBm的最大输入功率,并且具有2.1:1的VSWR和10ms的切换时间。相位噪声为-130 DBC/Hz,杂散水平为-80 dBm.这些光学延迟线使用低损耗光纤提供宽带RF信号的真实时间延迟。它们可以通过USB接口进行控制。Ku波段光延迟线支持单延迟ODL、多延迟ODL、渐进可变ODL延迟组合、双向ODL、多路径ODL和迷你ODL配置。它们需要110/220 V的交流电源,采用19英寸机架式封装,尺寸为440 X 500 X 133 mm.这些光学延迟线是雷达校准测试、信号和相位噪声处理、雷达测距站扩展、杂波消除器、电子战系统和高度计应用的理想选择。

  • L Band Optical Delay Lines 光学延迟线
    以色列
    分类:光学延迟线
    厂商:RFOptic
    应用: Radar Calibration testing, Signal and Phase Noise processing, Extension of radar range site, Clutter Canceler, EW systems, Altimeter 工作波长: 1565 to 1625 nm 延迟范围: 0.001 to 500 µsec 延迟精度: <0.5% 类型: Variable

    RFOptic的L波段光学延迟线工作频率为0.1至2.5 GHz.它们的延迟范围为0.001-500µsec,延迟精度为0.5%。这些光延迟线可以处理20dBm的最大输入功率和2.1的VSWR,切换时间为10ms.相位噪声为-130 DBC/Hz,杂散水平为-80 dBm.这些ODL使用低损耗光纤提供宽带RF信号的真实时间延迟。它们可以通过USB接口进行控制,并且可以配置为使用多达12个预定义的时间延迟值形成多达4096个延迟。L波段光学延迟线支持单延迟ODL配置,并且使用软件、导航开关和LCD显示器或通过USB连接实现控制和监控。这些ODL需要110/220 V的交流电源,采用19英寸机架式封装,尺寸为440 X 500 X 133 mm.它们可以通过SMA RF连接器或FC/APC光纤连接器连接,是雷达校准测试、信号和相位噪声处理、雷达测距站扩展、杂波消除器、电子战系统和高度计应用的理想选择。

  • LSP-SL-1570-10-01 半导体激光器
    中国大陆
    激光波长: 1.57um 激光平均能量: 6-10mJ 激光脉冲宽度: 3-5ns 频率范围: 20Hz-定制 光束发散角: 8-10mrad

    1.57μm全固态激光器采用OPO技术,对人眼损伤阈值高,适用于远距离测距,对多种目标的背景反差大,适合激光雷达和目标识别等应用。采用被动调Q技术,体积小,结构紧凑,适合军工激光测距、照射和雷达等领域。

  • 小型1.5μm/3kW脉冲光纤激光雷达光源 半导体激光器
    中国大陆
    型号: LSP-FLMP-1550-02 中心波长: 1547nm-1553nm 脉冲宽度(FWHM): 3ns可调 重复频率: 0.1MHz-2MHz可调 平均功率: 0.95W-2W@3ns,500kHz,25℃

    这是一款针对中远距离测距系统设计的脉冲光纤激光雷达光源,具有高峰值功率、低ASE成分和优异光束质量的特点。产品体积小、重量轻,便于集成到各种小型光电系统中,且能够在复杂严苛的环境下使用。

  • 1.5μm高峰值功率脉冲光源 半导体激光器
    中国大陆
    偏振: 随机 中心波长: 1547nm-1553nm 脉冲宽度(FWHM): 3ns-5ns 重复频率: 30kHz-100kHz 平均功率: 3W-4W

    适合作为超远距离激光雷达激光光源或单光子探测发射源使用,能够发射高达15kW峰值功率的窄脉冲激光,同时保持良好的光束质量。独特的散热设计可以使其在高峰值功率输出的同时保持优良的可靠性。

  • 微小型1.5μm/1kW激光雷达光源 半导体激光器
    中国大陆
    型号: LSP-FLMP-1535-04-mini 中心波长: 1532-1537nm 脉宽(FWHM): 3ns 重复频率: 0.1-2MHz 平均功率: 0.7-1.1W

    微小型激光雷达光源在保证测距所需功率前提下,对体积、重量、功耗等各方面进行深度优化,是目前业界功耗优化、结构最为紧凑的激光雷达光源之一,适合作为机载遥感测绘、激光测距机、ADAS车载激光雷达等应用的小型化激光光源。

  • 激光二极管驱动 OEM CW/QCW 15A 10V SF6015 v2.1 半导体激光器驱动器

    SF6XXX是高功率、紧凑型OEM恒流半导体激光管驱动器系列。独特的激光驱动器电路解决方案可实现高效率(高达97%)和高功率密度。铝制底板通过水冷或风冷有效去除激光二极管驱动器模块的热量。激光电流驱动器具有大量的保护功能,可确保激光二极管的安全运行。高功率激光驱动器SF6XXX的主要应用领域是激光打标、焊接、焊接和切割应用、医疗设备、激光测量设备、光谱仪、激光雷达、测距仪和实验室测试装置。这些设备是II-VI Laser Enterprise、BWT Beijing Laser Diodes、IPG Photonics、Dilas Diodenlaser、Lumentum等激光二极管的绝佳选择

  • DPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。