• 1.5μm高峰值功率脉冲光源 半导体激光器
    中国大陆
    偏振: 随机 中心波长: 1547nm-1553nm 脉冲宽度(FWHM): 3ns-5ns 重复频率: 30kHz-100kHz 平均功率: 3W-4W

    适合作为超远距离激光雷达激光光源或单光子探测发射源使用,能够发射高达15kW峰值功率的窄脉冲激光,同时保持良好的光束质量。独特的散热设计可以使其在高峰值功率输出的同时保持优良的可靠性。

  • 微小型1.5μm/1kW激光雷达光源 半导体激光器
    中国大陆
    型号: LSP-FLMP-1535-04-mini 中心波长: 1532-1537nm 脉宽(FWHM): 3ns 重复频率: 0.1-2MHz 平均功率: 0.7-1.1W

    微小型激光雷达光源在保证测距所需功率前提下,对体积、重量、功耗等各方面进行深度优化,是目前业界功耗优化、结构最为紧凑的激光雷达光源之一,适合作为机载遥感测绘、激光测距机、ADAS车载激光雷达等应用的小型化激光光源。

  • 激光二极管驱动 OEM CW/QCW 15A 10V SF6015 v2.1 半导体激光器驱动器

    SF6XXX是高功率、紧凑型OEM恒流半导体激光管驱动器系列。独特的激光驱动器电路解决方案可实现高效率(高达97%)和高功率密度。铝制底板通过水冷或风冷有效去除激光二极管驱动器模块的热量。激光电流驱动器具有大量的保护功能,可确保激光二极管的安全运行。高功率激光驱动器SF6XXX的主要应用领域是激光打标、焊接、焊接和切割应用、医疗设备、激光测量设备、光谱仪、激光雷达、测距仪和实验室测试装置。这些设备是II-VI Laser Enterprise、BWT Beijing Laser Diodes、IPG Photonics、Dilas Diodenlaser、Lumentum等激光二极管的绝佳选择

  • DPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • DPGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • HFL-1: 1µm波段高功率脉冲光纤激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1064nm 平均输出功率: 5W 脉宽: 0.4 - 10 ns 最大脉冲重复率: 500kHz

    HFL-1是来自BKTEL的高能量Q开关1064nm波长稳定OEM光纤激光器。这一超紧凑的Q开关系列激光器专为需要高达数兆赫的高脉冲重复率和大平均功率的广泛应用而设计。HFL-1提供高达150 uJ的脉冲能量和0.4至10 ns的脉冲宽度。高速触发可通过外部触发、TTL或LVDS使该激光器非常适合集成到各种高速应用中。HFL-1激光器可产生完美的TEM 00输出光束,该光束可通过FC/APC光纤连接器或可选的准直透镜传输。该激光器功耗低于50 W PF,标配RS-232通信接口所有这些功能使HFL-1激光系列成为激光雷达、3D扫描和许多其他应用的强大工具。

  • HPOA-1: 1微米波段高功率光放大器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    放大器类型: Not Specified 波长范围: 1030 - 1100 nm 最大输出功率: 15dBm

    HPOA-1是来自BKTEL的高功率光纤放大器,能够在1030 nm至1100 nm之间产生高达40 dBm的输出功率。该系列光纤放大器采用标准机架安装配置,输入和输出端口与您选择的行业标准连接器(包括SC/APC和FC/APC)端接。可提供标准单模或保偏光纤。HPOA-1能够处理-10至15 dBm的输入功率,并提供30dB的光学隔离,确保保护种子激光器免受危险的背向反射。除了行业标准的RS232通信接口外,这款较终用户光纤放大器还配备了可选的图形用户界面,以实现更自然的控制。内置电源,该装置在标准100-240 VAC下运行,使其成为高功率实验室应用的理想放大器。所有这些功能使HPOA-1系列光纤放大器成为激光雷达、自由空间通信等应用的强大工具。

  • HPOA-1.5: 1.55 µm高功率光放大器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    放大器类型: Not Specified 波长范围: 1540 - 1565 nm 最大输出功率: +37dBm 标称增益: 5.0dB

    HPOA-1.5是BKTEL的一款高功率光纤放大器,能够在1540 nm至1565nm之间产生高达5W的输出功率。该系列光纤放大器采用标准机架安装配置,输入和输出端口与您选择的行业标准连接器(包括SC/APC和FC/APC)端接。可提供标准单模或保偏光纤。HPOA-1.5能够处理-10至15 dBm的输入功率,并提供30dB的光学隔离,确保保护种子激光器免受危险的背向反射。除了行业标准的RS232通信接口外,这款较终用户光纤放大器还配备了可选的图形用户界面,以实现更自然的控制。通过内置电源,该装置在标准100-240 VAC下运行,使其成为高功率实验室应用的理想放大器。所有这些功能使HPOA-1.5系列光纤放大器成为激光雷达、自由空间通信等应用的强大工具。

  • MOA:小型化电信光放大器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    放大器类型: Not Specified 波长范围: 1529 - 1564 nm 最大输出功率: +17dBm 标称增益: 5.5dB

    MOA是来自BKTEL的微型高功率光纤放大器,能够在1529 nm至1564nm之间产生高达17dBm的输出功率。该系列光纤放大器可配置单个或多个输出端口,端接您选择的行业标准连接器,包括SC/APC和FC/APC。MOA能够处理-30至8 dBm的输入功率,并提供30dB的光学隔离,确保保护种子激光器免受危险的背向反射。该放大器还具有0.5ps的偏振模色散和0.3dB的偏振模增益。所有这些特性,再加上其紧凑的外形尺寸、低功耗和行业标准RS232通信接口,使其成为要求苛刻的高功率应用的理想OEM放大器。所有这些特性使MOA系列光纤放大器成为激光雷达、自由空间通信等应用的强大工具。

  • One-1030-100: 1030纳米微型Q-开关激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1030nm 平均值功率: 1W 重复频率: 0 - 10 kHz 空间模式: 1.5 脉宽: 10-20ns

    ONE系列是一种被动调Q、DPSS纳秒激光器,平均功率高达3W,或在1030nm处的脉冲能量高达100uJ。ONE系列是一种超小型、高峰值功率脉冲激光器,可配置为较大平均功率(高达3W),具有可变重复率(高达30kHz),用于标记和材料加工等应用,或配置为使用外部触发器进行操作,该外部触发器具有高达10kHz(高达1W)的出厂设置重复率,用于仪器和测量应用,如便携式激光雷达。紧凑的传导冷却ONE系列采用坚固的外壳,对设备的要求极低,使其成为各种便携式和工业应用的有用工具。

  • One-3-1: 1030纳米微型Q-开关激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1000nm 平均值功率: 3W 重复频率: 0 - 30 kHz 空间模式: 1.5 脉宽: 10ns

    ONE-3-1是一款被动调Q、DPSS纳秒激光器,平均功率高达3W,或在1030nm处的脉冲能量高达100uJ。ONE系列是一款超紧凑、高峰值功率脉冲激光器,可配置为较大平均功率(高达3W)和可变重复率(高达30kHz),用于标记和材料加工等应用,或配置为使用外部触发器进行操作,该外部触发器具有高达10kHz(高达1W)的出厂设置重复率,用于仪器和测量应用,如便携式激光雷达。紧凑的传导冷却ONE系列采用坚固的外壳,对设备要求极低,使其成为各种便携式和工业应用中的有用工具。

  • PGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • PGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S09H脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。