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1. 诞生背景
面发射半导体激光器（Surface-emitting Semiconductor Lasers）是在20世纪80年代初期由美国贝尔实验室首次提出并实现的一种新型半导体激光器。其主要特点是激光的发射方向与晶片表面垂直，这是与传统的边缘发射半导体激光器的主要区别。这种新型的激光器因其独特的结构和优良的性能，如低阈值电流、高输出功率、良好的波束质量等，使得它在光通信、光存储、光信息处理等领域有着广泛的应用前景。
2. 相关理论或原理
面发射半导体激光器的工作原理主要基于半导体的光电效应。当电流通过半导体材料时，电子会从价带跃迁到导带，形成电子-空穴对。当电子从导带返回到价带时，会释放出能量，形成光子。这些光子在半导体材料内部多次反射，形成激光。面发射半导体激光器的特点是，这些光子在垂直于晶片表面的方向上发射出去，形成激光束。
3. 重要参数指标
面发射半导体激光器的重要参数指标主要包括阈值电流、输出功率、波束质量、工作温度范围等。阈值电流是指激光器开始发射激光所需要的最小电流；输出功率是指激光器发射的激光的功率；波束质量是指激光束的质量，包括激光束的聚焦性、稳定性等；工作温度范围是指激光器能正常工作的温度范围。
4. 应用
面发射半导体激光器因其优良的性能，被广泛应用于光通信、光存储、光信息处理等领域。在光通信中，面发射半导体激光器可以作为光源，提供高质量的激光信号；在光存储中，面发射半导体激光器可以作为读写光源，提供高精度的读写能力；在光信息处理中，面发射半导体激光器可以作为信息处理元件，提供高效的信息处理能力。
5. 分类
面发射半导体激光器主要有两种类型：垂直腔面发射激光器（VCSEL）和谐振腔面发射激光器（RCSEL）。VCSEL的特点是具有垂直腔结构，激光的发射方向与晶片表面垂直；RCSEL的特点是具有谐振腔结构，激光的发射方向可以与晶片表面任意角度。
6. 未来发展趋势
面发射半导体激光器的未来发展趋势主要是向高功率、高效率、高稳定性的方向发展。随着半导体材料和制造工艺的进步，面发射半导体激光器的性能将得到进一步提高，应用领域将更加广泛。
7. 相关产品及生产商
目前市场上主要的面发射半导体激光器产品有Finisar、Avago、JDSU等公司的产品。这些公司的产品在光通信、光存储、光信息处理等领域有着广泛的应用。
