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  AlN激光二极管载体 - 陶瓷材料

  英国

  分类：半导体激光器配件

  厂商：LEW Techniques Ltd

  陶瓷基板材料为氮化铝（AlN）。标准等级为170W/m·K，也可提供200W/m·K。典型的属性有：TC（W/m·K）~170热膨胀系数（ppm/°C）~4.6介电常数~8.8@1MHzAlN基板材料可用于烧制、研磨或抛光表面处理。标准基板厚度为0.63mm和1.0mm，具有烧制饰面。也可以制造非标准厚度材料。基材可从0.25mm厚到1.5mm厚进行研磨和抛光。

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  AlN激光二极管载体 - 金属化

  英国

  分类：半导体激光器配件

  厂商：LEW Techniques Ltd

  可以应用各种金属化方案来形成导体、整体电阻器、焊料阻挡层、焊料坝等，Au和阻挡层厚度取决于应用。通常，对于Au线键合，至少需要0.5µm的Au。对于Pt或PD阻挡层，通常规定较小值为0.2µm。部件的正面和背面可以使用预先钻出的金属化通孔进行电互连。典型孔径=基材厚度。也可以用围绕一个或多个侧壁以连接顶面和底面的金属化来制造平底座。在适当考虑工艺限制和成本的情况下，也可以在图案化的安装件上实现环绕连接。

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  氮化铝激光二极管载体 - 预沉积的金锡

  英国

  分类：半导体激光器配件

  厂商：LEW Techniques Ltd

  对于激光安装，可以在导体区域上选择性地施加真空沉积的AuSn薄层。标准合金比通常为76Au/24Sn，厚度通常约为4-5微米。在回流时，在下面的导体中和在激光器芯片的下侧上的Au与预沉积的焊料结合以形成近似于80Au/20Sn的共晶比的合金。所得到的合金很好地流动并润湿激光器和载体，从而产生极好的低空隙接头，使热阻和热点较小化。合金比例也可以根据具体应用进行调整。