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正向电流
Forward Current（mA）
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正向电压
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波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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Optilab DFB-1470-DL 单模双线DFB激光器
厂家：Optilab
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HSMF-C144
厂家：Broadcom
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HSMF-C11B
厂家：Broadcom
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DUV255-SD353
厂家：Roithner Lasertechnik
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L4-NW0，L是一款LED，正向电压为2.6至3.2 V，正向电流为1500 mA，光通量为135至160 LM，工作温度为-40至125摄氏度，存储温度为-40至125摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W来自东芝公司的TL1L4-NW0，L4A5B是一种LED，其正向电压为2.6至3.2 V，正向电流为1500 mA，光通量为140 LM，工作温度为-40至125摄氏度，存储温度为-40至125摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L4 Series来自东芝公司的TL1L4-NW0，L5A5B是一种正向电压为2.6至3.2 V、正向电流为1500 mA、光通量为150 LM、工作温度为-40至125摄氏度、存储温度为-40至125摄氏度的LED.
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W来自东芝公司的TL1L4-NW1，L是一种LED，其正向电压为2.6至3.2 V，正向电流为1500 mA，光通量为125至145 LM，工作温度为-40至125摄氏度，存储温度为-40至125摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L4-WH0，L是一款LED，正向电压为2.6至3.2 V，正向电流为1500 mA，光通量为135至160 LM，工作温度为-40至125摄氏度，存储温度为-40至125摄氏度。TL1L4-WH0，L的更多详细信息见下文。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司的TL1L4-WH0，L4A5B是一款LED，正向电压为2.6至3.2 V，正向电流为1500 mA，光通量为140 LM，工作温度为-40至125摄氏度，存储温度为-40至125摄氏度。TL1L4-WH0，L4A5B的更多详细信息如下所示。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 5 Degree C/W东芝公司生产的TL1L4-WH1，L是一款LED，正向电压为2.6至3.2 V，正向电流为1500 mA，光通量为120至140 LM，工作温度为-40至125摄氏度，存储温度为-40至125摄氏度。TL1L4-WH1，L的更多详情见下文。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W东芝公司生产的TL1WK-DW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为21.8 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。TL1WK-DW1，L的更多详细信息见下文。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W来自东芝公司的TL1WK-LL1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为18.5 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W东芝公司生产的TL1WK-LW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为18.8 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。TL1WK-LW1，L的更多详细信息见下文。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.329, CY=0.342 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W东芝公司生产的TL1WK-NT1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为21.8 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。TL1WK-NT1，L的更多详细信息见下文。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W东芝公司的TL1WK-NW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为21.8 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 17 Degree C/W东芝公司生产的TL1WK-WH1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为20.7 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-DW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为22.9 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-LL1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为19.6 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-LW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为20.4 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-NW0，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为25.4 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-NW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为22.9 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 30 Degree C/W东芝公司的TL2FL-WH1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为22.9 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。
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芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.307, CY=0.315 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 32 Degree C/W东芝公司生产的TL2WU-DWJ，L是一种LED，正向电压为2.5~3.0V，正向电流为20mA，光通量为1.8lm，发光强度CD为0.22cd，发光强度MCD为220mcd.下面可以看到TL2WU-DWJ，L的更多详细信息。