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正向电流
Forward Current（mA）
确定 取消 -
正向电压
Forward Voltage（V）
确定 取消 -
波长
Wavelength（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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HSMF-C144
厂家：Broadcom
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HSMF-C11B
厂家：Broadcom
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DUV255-SD353
厂家：Roithner Lasertechnik
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颜色: Red 正向电压: 1.75 to 2.3 V 正向电流: 40 mA 波长: 660 nm来自Shinkoh Electronics的KL443是正向电压为1.75至2.3 V、正向电流为40 mA、反向电流为10 uA、波长为660 nm、功率为0.25至0.50 MW的LED.有关KL443的更多详细信息，请联系我们。
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颜色: Red, Infrared 正向电压: 1.6 to 2.2 V 正向电流: 50 to 60 mA 波长: 660 to 890 nm来自Shinkoh Electronics的KL898是正向电压为1.6至2.2 V、正向电流为50至60 mA、反向电流为10 uA、波长为660至890 nm、功率为0.2至2.3 MW的LED.有关KL898的更多详细信息，请联系我们。
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颜色: Infrared 正向电压: 1.40 to 1.8 V 正向电流: 100 mA 波长: 890 nm来自Shinkoh Electronics的KL899是正向电压为1.40至1.8 V、正向电流为100 mA、反向电流为10 uA、波长为890 nm、功率为1.3至5.5 MW的LED.有关KL899的更多详细信息，请联系我们。
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芯片技术: InGaN/GaN 颜色: Warm White 透镜类型: White Clear 正向电压: 2.8 to 3.4 V 正向电流: 150 mALumex的SML-LX4014UWC-TR是一款发光强度为21 LM的InGaN/GaN白光LED.它的色温为6500K，视角为120（2xθ1/2）。该LED的功耗为204 MW，反向电压高达5 V.它需要2.8-3.4 V的直流电源，并消耗60 mA的稳定电流。这款LED采用表面贴装封装，尺寸为4 X 1.4 X 0.6 mm，带水透明环氧树脂透镜和表面处理。它是背光照明、阳光可见光指示和小空间照明应用的理想选择。
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芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 3 to 3.4 V 波长: 940 nmLite-On的LTE-R38381S-S-U是一款LED，正向电压为3至3.4 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为940 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38381S-S-U的更多详细信息，请联系我们。
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芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 3 to 3.4 V 波长: 940 nmLite-On的LTE-R38381S-ZF-U是一款LED，正向电压为3至3.4 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为940 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38381S-ZF-U的更多详细信息，请联系我们。
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芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 1.8 to 2.5 V 波长: 850 nmLite-On的LTE-R38386A-S-U是一款LED，正向电压为1.8至2.5 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为850 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38386A-S-U的更多详细信息，请联系我们。
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芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 1.8 to 2.5 V 波长: 850 nmLite-On的LTE-R38386A-ZF-U是一款LED，正向电压为1.8至2.5 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为850 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38386A-ZF-U的更多详细信息，请联系我们。
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芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 3.1 to 3.5 V 波长: 850 nmLite-On的LTE-R38386S-S-U是一款LED，正向电压为3.1至3.5 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为850 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38386S-S-U的更多详细信息，请联系我们。
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芯片技术: GaAs 颜色: Infrared RoHS: Yes 正向电压: 3.1 V 波长: 850 nmLite-On的LTE-R38386S-ZF-U是一款LED，正向电压为3.1 V，正向电流为DC至1 A，反向电流为10 uA，波长为850 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关LTE-R38386S-ZF-U的更多详细信息，请联系我们。
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芯片技术: Aluminum Indium Gallium Phosphide (AllnGaP), Indium Gallium Nitride 颜色: Red, Green, Blue RoHS: Yes 正向电压: 1.6 to 3.15 V 正向电流: 10 mA
Broadcom的HSMF-C11B是一款三色顶部安装芯片，采用磷化铝铟镓（ALLNGAP）和氮化铟镓芯片技术，使该产品能够提供业界领先的光输出性能。ChipLED与回流焊接工艺兼容。该LED采用1.08 mm×1.08 mm的极小封装尺寸，在Broadcom的三色ChipLED系列中具有最薄的封装高度。这种超薄外形特性使这款LED非常适合需要低封装高度的应用，如指示灯和背光，并且小封装尺寸使LED能够支持紧密间距配置的组装。为了便于取放，零件包装在8毫米胶带和直径为7英寸的卷轴中。每个卷轴都是从一个单一的强度和颜色箱运送的，以实现更好的均匀性控制。
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芯片技术: Aluminum Indium Gallium Phosphide (AllnGaP) 颜色: Red, Yellow Green RoHS: Yes 正向电压: 1.6 to 2.4 V 正向电流: 30 mA
Broadcom的HSMF-C144是一款直角双色芯片，工作波长为570 nm（黄绿色）和632 nm（红色）。它的发光强度为18-180 MCD，视角为120°，可实现出色的色彩混合。这款LED的功耗高达72 MW，反向电压高达5 V.它采用高效磷化铝铟镓（ALLNGAP）芯片技术，可提供高光输出性能。该LED的正向电压为1.6-2.4 V，正向电流高达30 mA.HSMF-C144采用表面贴装封装，尺寸为3 X 2 X 1 mm，还采用卷带封装，尺寸为7英寸（卷盘直径）X 8 mm（载带），与行业标准自动机器贴装和回流焊接兼容。它是背光、状态指示灯、前面板指示灯、办公自动化、家用电器和工业设备应用的理想选择。
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颜色: White 透镜类型: Diffused Silicone Resin 标签: DURIS S 5 正向电压: 2.6 to 3 V 正向电流: 100 mA欧司朗的GP PSLM31.14是一款LED，正向电压为2.6至3 V，正向电流为100 mA，光通量为15.7 Im，发光强度CD为5.17 CD，发光强度MCD为5170 MCD.有关GP PSLM31.14的更多详细信息，请联系我们。
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颜色: White 透镜类型: Diffused Silicone Resin 标签: DURIS S 5 正向电压: 6 to 6.8 V 正向电流: 150 mA欧司朗的GP PSLR31.14是一款LED，正向电压为6至6.8 V，正向电流为150 mA，光通量为44 Im，发光强度CD为14.5 CD，发光强度MCD为14500 MCD.有关GP PSLR31.14的更多详细信息，请联系我们。
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颜色: White 透镜类型: Diffused Silicone Resin 标签: DURIS S 5 正向电压: 2.6 to 3 V 正向电流: 65 mA来自OSRAM的GW PSLM31.FM是一种LED，正向电压为2.6至3 V，正向电流为65 mA，光通量为25.6 Im，发光强度CD为8.68 CD，发光强度MCD为8680 MCD.有关GW PSLM31.FM的更多详细信息，请联系我们。
