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光电查为您提供7313个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 23XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2290 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司生产的23xxnm大功率激光二极管,波长为2290nm,输出功率为0.5W,工作电压为1.5V,工作电流为5A,阈值电流为300mA.23xx nm高功率二极管的更多详细信息可以在下面看到。

  • 23XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2250 nm 输出功率: 0.016 to 0.01 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的23xx nm SAF增益芯片是一种激光二极管,波长为2250nm,输出功率为0.016至0.01W,工作电压为1V,工作电流为0.3A,输出功率(CW)为0.016至0.01W.23xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • 24XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2433 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.4 V

    Brolis Semiconductors的24xx nm高功率二极管是一种连续波法布里-珀罗激光二极管,工作波长为2450 nm.单发射器可提供高达600 MW的功率,激光棒可提供超过5 W的功率。该设备基于Brolis公司专有的GaSb I型激光技术,并在Brolis公司最先进的洁净室设施中进行开发,包括在市场上最大的3英寸GaSb衬底平台上进行先进的多晶片分子束外延。这种单TE00偏振激光器需要1.4 V的电源,消耗高达6 A的电流。它采用TO-CAN封装,腔长为1.0/1.5/2.0 mm,发射极宽度为90/120/150µm,非常适合安全、医疗、研究和检测应用。

  • 24XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2380 nm 输出功率: 0.005 to 0.095 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的24xx nm SAF增益芯片是一款激光二极管,波长为2380 nm,输出功率为0.005至0.095 W,工作电压为1 V,工作电流为0.3 A,输出功率(CW)为0.005至0.095 W.24xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • 26XX纳米的激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2590 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.6 V

    Brolis Semiconductors公司的26XX nm激光二极管是一种波长为2590 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为1.6 V、工作电流为0.5 A、阈值电流为100 mA的激光二极管。有关26xx nm激光二极管的更多详细信息,请联系我们。

  • 9XX纳米激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 983 nm 输出功率: 12 W 工作电压: 2 V

    来自Brolis Semiconductors的9xx nm激光二极管是一款激光二极管,波长为983 nm,输出功率为12 W,工作电压为2 V,工作电流为15 A,输出功率(CW)为12 W.9xx nm激光二极管的更多详情见下文。

  • BSC41104 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 1940 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 V

    Brolis Semiconductors公司的BSC41104是一种波长为1940nm、输出功率为1W、工作电压为1.8V、工作电流为6.5A、阈值电流为450mA的激光二极管。有关BSC41104的更多详细信息,请联系我们。

  • BSC4828 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2700 nm 输出功率: 0.005 to 0.02 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司的BSC4828是一种波长为2700 nm的激光二极管,输出功率为0.00 5至0.02 W,工作电压为1.5 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为150 mA.有关BSC4828的更多详细信息,请联系我们。

  • FL21000079AR-BSC4434 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2080 nm 输出功率: 0.14 to 0.15 W 工作电压: 2 V

    Brolis Semiconductors的FL21000079AR-BSC4434是波长为2080 nm的激光二极管,输出功率为0.14至0.15 W,工作电压为2 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为80 mA.有关FL21000079AR-BSC4434的更多详细信息,请联系我们。

  • FL21000079AR-W90-2mm 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2080 to 2110 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1 to 5 V

    Brolis Semiconductors的FL21000079AR-W90-2MM是一款激光二极管,波长为2080至2110 nm,输出功率为1 W,工作电压为1至5 V,工作电流为3至6 A,阈值电流为280 mA.有关FL21000079AR-W90-2mm的更多详细信息,请联系我们。

  • FL24500420B4CM 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2410 to 2470 nm 输出功率: 0.05 to 0.1 W 工作电压: 1 to 2 V

    来自Brolis Semiconductors的FL24500420B4CM是波长为2410至2470 nm、输出功率为0.05至0.1 W、工作电压为1至2 V、工作电流为1.3至1.5 A、阈值电流为100至150 mA的激光二极管。有关FL24500420B4CM的更多详细信息,请联系我们。

  • FL30000080B4CM 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2940 to 3050 nm 输出功率: 0.017 to 0.028 W 工作电压: 1 to 2 V

    Brolis Semiconductors的FL30000080B4CM是一种激光二极管,波长为2940至3050 nm,输出功率为0.017至0.028 W,工作电压为1至2 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为65至90 mA.有关FL30000080B4CM的更多详细信息,请联系我们。

  • NV4V31MF 半导体激光器
    美国
    厂商:CEL
    工作模式: CW Laser 波长: 400 to 415 nm 输出功率: 0 to 0.175 W 阈值电流: 35 to 55 mA 激光颜色: Blue, Violet

    CEL的NV4V31MF是一款激光二极管,波长为400至415 nm,输出功率为175 MW,输出功率为0至0.175 W,阈值电流为35至55 mA,工作温度为-5℃至85℃。有关NV4V31MF的更多详细信息,请联系我们。

  • NV4V31SF 半导体激光器
    美国
    厂商:CEL
    工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0 to 0.175 W 阈值电流: 35 to 55 mA 激光颜色: Blue, Violet

    CEL的NV4V31SF是一款激光二极管,波长为400至410 nm,输出功率为175 MW,输出功率为0至0.175 W,阈值电流为35至55 mA,工作温度为-5℃至85℃。NV4V31SF的更多详细信息如下所示。

  • NV4V41SF 半导体激光器
    美国
    厂商:CEL
    工作模式: CW Laser 波长: 400 to 405 nm 输出功率: 0 to 0.6 W 阈值电流: 140 to 180 mA 激光颜色: Blue, Violet

    CEL的NV4V41SF是一款激光二极管,波长为400至405 nm,输出功率为600 MW,输出功率为0至0.6 W,阈值电流为140至180 mA,工作温度为0至30摄氏度。NV4V41SF的更多详细信息如下所示。

  • NX6240GP 半导体激光器
    美国
    厂商:CEL
    技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1260 to 1280 nm 输出功率: 0 to 0.0085 W 工作电压: 2 V

    来自CEL的NX6240GP是波长为1260至1280 nm的激光二极管,输出功率为8.5 MW,输出功率为0至0.0085 W,工作电压为2 V,阈值电流为8至30 mA.有关NX6240GP的更多详细信息,请联系我们。

  • NX6308GH 半导体激光器
    美国
    厂商:CEL
    技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1290 to 1330 nm 输出功率: 0 to 0.02 W 工作电压: 1.1 to 1.6 V

    来自CEL的NX6308GH是波长为1290至1330nm的激光二极管,输出功率为20mW,输出功率为0至0.02W,工作电压为1.1至1.6V,阈值电流为10至45mA.有关NX6308GH的更多详细信息,请联系我们。

  • NX6309GH 半导体激光器
    美国
    厂商:CEL
    技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1290 to 1330 nm 输出功率: 0 to 0.01 W 工作电压: 1.1 to 1.6 V

    来自CEL的NX6309GH是波长为1290至1330 nm的激光二极管,输出功率为10 MW,输出功率为0至0.01 W,工作电压为1.1至1.6 V,阈值电流为10至45 mA.有关NX6309GH的更多详细信息,请联系我们。

  • NX6314EH 半导体激光器
    美国
    厂商:CEL
    技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1290 to 1330 nm 输出功率: 0 to 0.02 W 工作电压: 1.1 to 1.6 V

    来自CEL的NX6314EH是波长为1290至1330nm的激光二极管,输出功率为20mW,输出功率为0至0.02W,工作电压为1.1至1.6V,阈值电流为10至50mA.有关NX6314EH的更多详细信息,请联系我们。

  • NX6342EP 半导体激光器
    美国
    厂商:CEL
    技术: Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1290 to 1330 nm 输出功率: 0 to 0.0085 W 工作电压: 2 V

    CEL的NX6342EP是一款激光二极管,波长为1290至1330 nm,输出功率为8.5 MW,输出功率为0至0.0085 W,工作电压为2 V,阈值电流为8至15 mA.有关NX6342EP的更多详细信息,请联系我们。