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光电查为您提供7305个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 夏普405nm 500mw高功率激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 500mW

    特点:1.输出功率高达500mW CW2.多模式3.可靠性高4.稳定波长绝对较大额定值(CW)光输出功率:500mW反向电压:2V外壳温度:储存温度:-40~+85℃电气和光学特性:峰值波长:400~413 nm阈值电流:工作电流:500mA工作电压:光束发散角:10~18度,37~44度偏振角:-5~+5度偏振比:600

  • 夏普To18 5.6mm 405nm 350MW 紫色激光二极管JLD4035Z 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 350mW

    夏普TO18 5.6mm 405nm 350mW紫光激光二极管JLD4035Z夏普TO18 5.6mm 405nm 350mW紫色激光二极管JLD4035Z颜色:蓝紫色寿命:10000小时存储温度:-40~85度工作温度:0~50包装:TO18-5.6mm,规格:405nm 350mW 5.6mm特性:1.较短波长:405nm(典型值)2.高光输出功率:350mW CW3.小封装:5.6mm直径

  • Sone Pomax 250mW 405nm 激光二极管 SLD3235VF 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 250mW

    索尼POMAX 250mW 405nm激光二极管SLD3235VF,日本制造输出功率:POMAX 250MW工作电流:<250mA工作电压:5V包装:5.6mm工作寿命:>10000小时

  • 索尼405nm 65mW激光二极管SLD3234VFI 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 65mW

    高品质SONE 405nm 65mW激光二极管SLD3234VFI,日本制造输出功率:CW 65mW,POMAX 170mW工作电流:<110mA工作电压:5V封装:3.8mm工作寿命:>10000小时

  • 索尼SLD3134VL 405nm 20mW 蓝紫色激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 20mW

    索尼405nm SLD3134VL 20mW蓝紫激光二极管,带PD名字;新型蓝紫激光二极管原产地:日本输出功率:CW 15mW工作电流:小于32mA工作电压:4.7V包装:T018(5.6mm)工作寿命:10000小时以上

  • TO38 405nm 320mw日亚NDV4542蓝紫色激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 320mW

    TO38 405nm 320mW NICHIA NDV4542蓝紫激光二极管 特征: 光输出功率:脉冲320m W罐型:φ浮式安装 峰值波长:405nm 绝对较大额定值 光输出功率:250 MW(连续),400mW(脉冲) LD反向电压:2V 储存温度:-40~85°C 工况温度:-10~80°C 脉冲条件:脉宽30ns,占空比50% 激光安全 激光会损伤人的眼睛和皮肤,不要将眼睛或皮肤直接和/或通过光学透镜暴露在任何激光下。在处理LDS时,请佩戴适当的安全眼镜,以防止激光甚至任何反射光进入眼睛。通过光学仪器的聚焦激光束将增加对眼睛造成伤害的机会。这些LD属于IEC60825-1和21 CFR第1040.10部分安全标准的第4类。绝对有必要对纳入和/或集成了Nichia LDS的用户模块、设备和系统采取全面的安全措施。

  • 980纳米12瓦单发射器CW激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    中心波长: 0.980um 输出功率: 12000mW

    Brolis 980 nm 12 W连续激光二极管是要求苛刻的固态激光泵浦应用的理想选择。激光二极管具有3 mm长的腔和0.19 mm宽的发射器,可提供良好的光束质量和良好的光谱亮度-在FWHM下保持3 nm光谱宽度,以获得较大输出功率。

  • Brolis超宽调谐2025纳米中红外SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    中心波长: 2.025um 输出功率: 15mW

    Brolis2025nm单角面( SAF )中红外增益芯片特点: -超过100 nm的调谐范围,在CW模式下2025 nm @ 20 degC处有增益峰。 - 5 ~ 15mW CW输出功率在整个调谐范围内呈Littrow配置 - >增益中心30dB SMSR - < 1MHz线宽 - C - mount软件包 -高可靠性,> 10 000小时寿命保证。

  • Brolis超宽调谐2250纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    中心波长: 2.25um 输出功率: 15mW

    Brolis 2250 nm单角度刻面(SAF)中红外增益芯片特性:-120 nm调谐范围,增益峰值为2250 nm@20℃,CW模式利特罗配置中整个范围内的-5-15 MW CW输出功率-30 dB SMSR(增益中心)-1 MHz线宽提供-TO5和C-Mount封装选项-10000小时寿命保证的高可靠性

  • Brolis超宽调谐2380纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    中心波长: 2.38um 输出功率: 18mW

    Brolis 2380 nm单角度刻面(SAF)增益芯片特性:-120nm调谐范围,增益峰值为2380nm,20℃,CW模式-在利特罗配置的整个调谐范围内,CW输出功率为5-18 MW-增益峰值时边模抑制比为25 dB-1 MHz线宽-TO5和C-mount封装选项

  • 20XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2025 nm 输出功率: 0.0405 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的20xx nm SAF增益芯片是波长为2025 nm、输出功率为0.0405 W、工作电压为1 V、工作电流为0.3 A、阈值电流为50 mA的激光二极管。有关20xx nm SAF增益芯片的更多详细信息,请联系我们。

  • 23XX纳米的CW激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2315 nm 输出功率: 0.04 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司的23xxnm连续激光二极管是一种波长为2315nm,输出功率为0.04W,工作电压为1.5V,工作电流为0.6A,阈值电流为30mA的激光二极管。23xx nm CW激光二极管的更多详细信息可以在下面看到。

  • 23XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2290 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司生产的23xxnm大功率激光二极管,波长为2290nm,输出功率为0.5W,工作电压为1.5V,工作电流为5A,阈值电流为300mA.23xx nm高功率二极管的更多详细信息可以在下面看到。

  • 23XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2250 nm 输出功率: 0.016 to 0.01 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的23xx nm SAF增益芯片是一种激光二极管,波长为2250nm,输出功率为0.016至0.01W,工作电压为1V,工作电流为0.3A,输出功率(CW)为0.016至0.01W.23xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • 24XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2433 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.4 V

    Brolis Semiconductors的24xx nm高功率二极管是一种连续波法布里-珀罗激光二极管,工作波长为2450 nm.单发射器可提供高达600 MW的功率,激光棒可提供超过5 W的功率。该设备基于Brolis公司专有的GaSb I型激光技术,并在Brolis公司最先进的洁净室设施中进行开发,包括在市场上最大的3英寸GaSb衬底平台上进行先进的多晶片分子束外延。这种单TE00偏振激光器需要1.4 V的电源,消耗高达6 A的电流。它采用TO-CAN封装,腔长为1.0/1.5/2.0 mm,发射极宽度为90/120/150µm,非常适合安全、医疗、研究和检测应用。

  • 24XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2380 nm 输出功率: 0.005 to 0.095 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的24xx nm SAF增益芯片是一款激光二极管,波长为2380 nm,输出功率为0.005至0.095 W,工作电压为1 V,工作电流为0.3 A,输出功率(CW)为0.005至0.095 W.24xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • 26XX纳米的激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2590 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.6 V

    Brolis Semiconductors公司的26XX nm激光二极管是一种波长为2590 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为1.6 V、工作电流为0.5 A、阈值电流为100 mA的激光二极管。有关26xx nm激光二极管的更多详细信息,请联系我们。

  • 9XX纳米激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 983 nm 输出功率: 12 W 工作电压: 2 V

    来自Brolis Semiconductors的9xx nm激光二极管是一款激光二极管,波长为983 nm,输出功率为12 W,工作电压为2 V,工作电流为15 A,输出功率(CW)为12 W.9xx nm激光二极管的更多详情见下文。

  • BSC41104 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 1940 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 V

    Brolis Semiconductors公司的BSC41104是一种波长为1940nm、输出功率为1W、工作电压为1.8V、工作电流为6.5A、阈值电流为450mA的激光二极管。有关BSC41104的更多详细信息,请联系我们。

  • BSC4828 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2700 nm 输出功率: 0.005 to 0.02 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司的BSC4828是一种波长为2700 nm的激光二极管,输出功率为0.00 5至0.02 W,工作电压为1.5 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为150 mA.有关BSC4828的更多详细信息,请联系我们。