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光电查为您提供7027个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 非制冷型手持红外观测仪 半导体激光器
    中国大陆
    红外侦察距离: 中型坦克:≥2.5km(静止), 直立单兵:≥1.25km 可见光侦察距离: 中型坦克:≥6km(静止), 直立单兵:≥3km 红外视场: ≥8°×6° 彩色电视视场: ≥3°×2.2° 视度调节范围: -4D~+4D

    本手持激光测距仪结合先进的红外和可见光技术,为用户提供了强大的目标侦察能力。系统具备卓越的识别距离和视场调节能力,以适应不同的观测需求。搭载了精准的激光测距功能,能够在复杂的环境条件下提供准确的距离数据。系统还包括了透雾功能,即使在低能见度的条件下也能维持清晰的视线。北斗定位精度和磁方位测角精度确保了高精度的导航和定位。轻巧的设计和强大的耐候性能,使其成为野外侦察和战术操作的理想选择。

  • 制冷型手持红外观测仪 半导体激光器
    中国大陆
    探测距离: >6km 测距距离: >6km 工作时间: ≥4h 测距频率: 1Hz 波长: 人眼安全波段

    该手持激光测距机由高清镜头、4微米高清CMOS、测距模组、主控板、OLED屏幕、目镜、眼罩、镜头盖等组成,具备远距离观测、拍照、录像、分划调整、电子放大、目视OLED观察等功能,并支持三脚架接口、外接充电宝供电、USB拷贝图片。

  • LSP-LRS-0310F 半导体激光器
    中国大陆
    波长: 1535±5nm 作用距离: ≥3km 激光发散角: ≤0.5mrad 连续测距频率: 1~10Hz可调 测距精度: ±1m

    LSP-LRS-0310F激光测距模块是基于1535nm铒玻璃激光器的一级人眼安全产品,采用时间飞行法(TOF)可对车测距达3km,对人测距在2km以上。

  • 光纤环 半导体激光器
    中国大陆
    光纤环内径: 13-150mm 光纤环高度: 5-55mm 绕环长度: 100-5000m 光纤直径: 100/135/165/250nm 工作波长: 1310/1550nm

    光纤陀螺的关键组件,基于萨格奈克效应的长光纤线圈缠绕形成。

  • 制冷型手持红外观测仪 半导体激光器
    中国大陆
    红外侦察距离: 中型坦克:≥5km(静止), 直立单兵:≥2.5km 可见光侦察距离: 中型坦克:≥8km(静止), 直立单兵:≥4km 红外视场: 2.3°×1.7° - 7°×5.2° 可见光视场: 1.8°×1.3° - 7°×5.2° 视度调节范围: -4D~+4D

    本产品结合先进的红外和可见光技术,提供强大的目标侦察能力,具备卓越的识别距离和视场调节能力,以适应不同观测需求。配备精准的激光测距功能,在复杂环境下提供准确距离数据,透雾功能确保低能见度下的清晰视线,北斗定位和磁方位测角精度保障高精度导航定位,轻巧设计和强大耐候性使其适合野外侦察和战术操作。

  • 激光对射入侵探测器 半导体激光器
    中国大陆
    波长: 980nm 工作电压: DC10-24V 报警方式: 光束遮挡报警;亮红灯:障碍报警 灯熄灭:正常 抗光干扰能力: ≥15000lx 光束数量: 4束

    激光对射入侵探测器属于安全光幕一种,是基于激光技术开发的一款防入侵报警器,分为发射器与接收器,通过发射和接收调制过的激光束来探测入侵。

  • 激光信标 半导体激光器
    中国大陆
    输出功率: 60W 中心波长: 803nm-808nm-813nm 光束发散度: 30° 工作电流: 4A 工作电压: 6V-50V-6V

    信标用半导体激光光源为空间光输出高功率激光光源,作为信号源使用,具有效率高、结构紧凑、光能量高、性能稳定等优点。适用高能量信号源等用途。

  • ASE 光源 半导体激光器
    中国大陆
    波长: 1530-1560nm 输出功率: 10mw 光功率稳定性(25℃): 0.2-0.4% 光功率稳定性(-45~70℃): 3% 偏振消光比: 0.3-0.5dB

    1550nm波段的掺饵光纤光源,具有良好的光谱对称性和稳定性,自相干度低,相干长度短,能有效减小光纤陀螺的相位误差。

  • 全国产化激光云高仪 半导体激光器
    中国大陆
    云底高度范围: 15m~12km 垂直能见度范围: 15m~10km 最多可测云层数: 3层 测量分辨率: 3.75m 硬物目标的测量误差: ±15m

    全国产化激光云高仪是通过接收大气对光脉冲信号的后向散射信号,并分析得到云层数的数据,对降水期间的垂直能见度和云检测表现出良好的性能。该产品实现百分之百国产化替代,核心元器件均为国产,提高了自主性和安全性。产品在光、机、电方面进行了优化,并结合自主研发的天空算法,可预测天气状况。

  • FOL14xx Series (with Isolator) 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C 激光二极管正向电流1437R: 0~2100mA 激光二极管正向电流1439R: 0~2600mA 激光二极管反向电压: 0~2V

    FOL14xx系列(带隔离器)是专为光学传输系统中的各种光放大器设计,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中使用的掺铒光纤放大器(EDFA)。

  • FOL1437 Series 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 2100mA 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管正向电流: 5mA

    FOL1437系列(带FBG)是为各种光学放大器设计的,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中使用的拉曼放大器。

  • FOL1437R Series 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 0~2100mA 激光二极管反向电压: 0~2V 光电二极管正向电流: 0~5mA

    FOL1437R系列(带FBG)专为光学传输系统中的各种光放大器设计,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中使用的拉曼放大器。

  • FOL1439 Series 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 2600mA 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管正向电流: 5mA

    FOL1439系列(带FBG)专为各种光放大器设计,如光传输系统中使用的拉曼放大器,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中。

  • FOL1439 Series 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 0~3000mA 激光二极管反向电压: 0~2V 光电二极管正向电流: 0~5mA

    FOL1439系列(带FBG)是为光学传输系统中使用的各种光学放大器设计的,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中使用的拉曼放大器。

  • FRL15DCWx-Axx-xxxxx-x 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 光电二极管反向电压: 0~20V 工作温度: -5~70°C 光电二极管正向电流: 0~5mA 激光二极管反向电压: 0~2V

    DFB激光器模块,为长途DWDM应用设计,与外部强度调制器配合使用,并集成多种光电组件于标准蝶形封装内。

  • FJLxxVxxxx6B 半导体激光器
    日本
    ITU频率调谐范围: C:191.3-196.1THz, C++:190.7-196.65THz, L:186.35-190.7THz 光纤输出功率: C/C++:10-17.5dBm, L:10-15.5dBm 寿命期间功率变化: +/-1.0dB 网格间距: 0.1GHz 寿命期间对ITU网格的频率误差: +/-1.5GHz

    本文档描述了FITEL的微型可调谐激光器组件的规格,该组件的外形和命令接口符合OIF-microITLA-01.0标准。

  • HV85-0001G1 Pre 2.0 半导体激光器
    韩国
    厂商:Optowell
    储存温度: -40 to 85℃ 工作温度: -10 to 85℃ 连续正向电流: 5mA 连续反向电压: 5V (@10μA) 阈值电流: 0.5 to 1.0mA CW

    850 nm高斯光束VCSEL芯片,具有高可靠性和低电流操作的特点,可根据要求提供其他配置。

  • VM100-850-SG-qSM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/s

    VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列作为工程样品,供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触,使用地-源(GS)微探针、线键合或倒装芯片键合。

  • VM100-850-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 数据速率: Up to 112Gbit/s 56GBaud/s PAM-4 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHz

    VM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片,现已作为工程样品提供,用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源(GSG)微探针或线键进行接触。

  • V50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 840-860 nm 最大数据速率: 25-28 GBaud/s 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 阈值电流: 0.8 mA

    V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片和1xN(N=4,12)阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源(GS)微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。