参数:
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光电查为您提供7027个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • DFB-1030-PM-50-OI 半导体激光器
    德国
    厂商:Innolume
    波长: 1030 nm

    特点: •输出功率>50mW(光纤前)@1020nm-1120nm •无跳模连续调谐 •单独老化和热循环筛选 •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •内置监测光电二极管(可选配) •直插式光隔离器(可选配) •900um松管(可选配)

  • DFB-1030-PM-30-VO 半导体激光器
    德国
    厂商:Innolume
    波长: 1030 nm 输出功率: 5-30 mW

    特点: •集成自由空间光隔离器 •输出功率>30mW(光纤前)@1020nm-1120nm •无跳模连续调谐 •单独老化和热循环筛选 •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •内置监测光电二极管(可选配) •900um松管(可选配)

  • 790LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 790 nm 技术: Butterfly single mode 输出功率(脉冲): 400 mW

    790nm蝶形激光二极管。高达250 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。与选项1兼容:PM光纤、选项2(窄发射@792nm,带FBG-TM3+泵浦的理想选择)和选项3(3mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准法布里-珀罗激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和40°C之间时,可达到792 nm TM3+泵浦波长(所有航空二极管可选驱动器都具有高效的激光二极管芯片温度调节)。

  • 830LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Butterfly single mode 输出功率(脉冲): 400 mW 输出功率: 200 mW

    单独的830nm蝶形激光二极管。高达200 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在15至35°C之间的给定温度时,可达到830 nm波长(所有航空二极管驱动器均包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 830LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Butterfly MULTIMODE with VBG 输出功率(脉冲): 600 mW 输出功率: 600 mW

    单独的830nm蝶形激光二极管。窄线宽发射高达600 MW CW,830±1 nm多模105/125µm光纤输出,具有900µm缓冲涂层和FC/PC光纤连接器。与上述选项-3(3 mm准直器)兼容-见上文。采用特殊的体布拉格光栅(VBG)实现了非常稳定的窄发射线宽。蝶形1型封装。

  • 830LD-3-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Multimode single emitter 输出功率(脉冲): 2000 mW

    105(核心)/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)在830 nm处发射高达2 W的高功率激光二极管。FC/PC光纤连接器输出(可按需提供SMA)。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。

  • 830LD-4-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Multimode multiemitter 输出功率(脉冲): 20000 mW

    105(核心)/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)在830 nm处发射高达20 W的高功率激光二极管。SMA光纤连接器输出(FC/PC按需提供)。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。

  • EP1512-DM-B 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Eblana Photonics
    波长: 1500-1530 nm 波长公差: -1-1 nm 斜率效率: 0.1-0.15 mW/mA 输出功率: 7-10 mW 热敏电阻: 9.5-10.5 kW

    Eblana Photonics在设计时考虑到了氨气传感EP1512-DM-B激光二极管非常适合集成到用于NH3的TDLAS系统中。Eblana的离散模式(DM)技术是提供经济高效的解决方案,具有无跳模可调性和出色的SMSR。

  • LDS-655-FP-1.5 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    波长: 655 nm 封装类型: Compact coaxial; Coaxial with bracket; 14 pins DIL 偏振消光比: 17 dB 芯片技术: F-P 应用行业: Biomedicine; Laser systems

    LDS - 655 - FP - 1.5是一款光纤耦合的激光二极管(三种封装形式可选)。

  • BW10-1060-T-TO 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1060 nm 工作电流(CW): 5-6 mA

    Bandwidth10的1060nm TO-can是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜,可以实现晶圆级、低成本的制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针帽封装,带有ASP透镜。它提供了超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围高达50nm。

  • BW10-1550-T-T7 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1550 nm

    Bandwidth10的BW10-1550-T-T7是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜,可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺,为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于波长稳定,采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps,典型的调谐范围为10纳米。TOSA可用于通过C-和L-波段的几个波段。

  • BW10-1550-T-P 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1050 nm

    Bandwidth10的1550nm PM可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模式1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜,可以实现晶圆级的低成本制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针TOSA封装,永久连接光纤。辫子式TOSA有FC/APC和LC/APC连接器可供选择。它提供超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围为10nm。

  • BW10-1550-T-TO 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1550 nm

    Bandwidth10的BW10-1550-TO是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜,可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺,为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于波长稳定,采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps,典型的调谐范围为10纳米。该TO可用于通过C-和L-波段的几个波段。

  • BW10-1060-T-P  半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1060 nm

    Bandwidth10的1060nm可调谐VCSEL尾纤TOSA是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模1060nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜,可以实现晶圆级的低成本制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7针TOSA封装,并永久连接光纤。辫子式TOSA可使用FC/APC连接器。它提供了超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围高达50nm。

  • BW10-1654-T-TO 半导体激光器
    美国
    厂商:Bandwidth10 Ltd.
    波长: 1654 nm

    Bandwidth10的1654纳米可调谐VCSEL TO-can是基于创新的高对比度光栅(HCG)单模式1654纳米VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐镜,可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺,并为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装,用于温度和波长稳定,采用7引脚开盖封装。它提供了超过200kHz的快速波长调谐,调谐范围为4nm。

  • EP1278-DM-B 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Eblana Photonics
    波长: 1260-1288 nm 储存温度: -40-85 Degree C 正向电压: null-2 V 斜率效率: 0.15 mW/mA 输出功率: 5-12 mW

    Eblana Photonics EP1278 - DM - B激光二极管是专门为检测氟化氢而设计的,波长范围为1260 ~ 1288nm。Eblana的离散模式( Discrete Mode,DM )技术具有无跳模的可调性和出色的SMSR,具有成本效益。

  • V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00145,是波长为795nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.13mW,线宽≤100MHz,调制带宽≥3.4GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。

  • 单频激光二极管 半导体激光器
    德国
    波长: 759.9-761.9 nm 工作温度: 10-50 Degree C 正向电压: 1.5 V 输出功率: 2-6 mW 正向电流(PD): 120 mA

    可调谐 760 nm DFB 激光器,带密封 14 引脚蝶形外壳(符合 RoHS 标准),包括监控二极管、热电冷却器和热敏电阻,带保偏光纤、集成μ隔离器和倾斜物理接触

  • 980nm泵浦激光模组 半导体激光器
    波长: 973-975 nm 工作电压: 1.7-2 V 正向电流(PD): 50-70 mA 阈值电流: 50-70mA 工作前向电压: 1.7-2.0V

    CM96Z***-7* 系列泵浦模块采用光纤布拉格光栅设计,可增强波长和功率稳定性性能。该产品旨在确保在驱动电流、温度和光反馈变化。

  • 7xxnm系列-光纤输出半导体激光器 半导体激光器
    中国大陆
    中心波长: 790-792nm 功率: 25-150W 谱宽: 5nm 95% 功率: 0.15-0.2NA 温漂系数: 0.3nm/℃

    7xxnm系列-光纤输出半导体激光器(FiberCoupled 7xxnm Laser Diode Module)为光纤耦合输出的半导体激光器,其紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量以及高功率密度等特性,赋予了它独特的优势。同时,高电光效率、稳定性能和长寿命更是使它在各种应用场景中脱颖而出。