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工作电流
Operating Current（mA）
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工作电压
Operating Voltage（V）
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输出功率
Output Power（mW）
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阈值电流
Threshold Current（mA）
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波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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DFB-1310C-PM 激光器
厂家：Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家：Optilab
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
光电查为您提供7276个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。
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发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHzV25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。
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发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.45W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶部表面单独接触。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50GBaud/s 光学带宽: 18GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 1mAV25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。
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发射波长: 850 nm 数据速率: ~56 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nmVM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。
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发射波长: 880 nm (范围 870 – 890 nm) 数据速率: 高达 112 Gbit/s 56 GBaud/s PAM-4 阈值电流: < 0.6 mA 峰值输出功率: 4 mW 光学带宽: 25-30 GHzVM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光（VCSEL）芯片作为工程样品，可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合单独接触顶面。
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发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/sVM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。
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发射波长: 840-860nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导，以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触，使用地-源-地（GSG）微探针或金属线键合。
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储存温度: -40 to 85℃ 工作温度: -10 to 85℃ 连续正向电流: 5mA 连续反向电压: 5V (@10μA) 阈值电流: 0.5 to 1.0mA CW850 nm高斯光束VCSEL芯片，具有高可靠性和低电流操作的特点，可根据要求提供其他配置。
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中心波长: 1.55um 输出功率: 60mWPure Photonics是EMC核心可调谐外腔激光器（ECL）技术的增值分销商。Pure Photonics为电信行业改进了这款卓越且经过现场验证的可调谐激光器，以满足高信噪比应用的严格要求。该产品采用AnitlaformFactor，确保轻松的数字通信和控制，并具有优化的固件和电子配置，以实现卓越的性能。Pure Photonics可调谐激光器解决方案是一种经过现场验证的高容量电信激光器，适用于通常由手工定制解决方案解决的高要求应用。该技术不仅提供了与现有解决方案相当的光学性能，而且还具有极小的外形尺寸和超过35nm的调谐范围。可调性使我们的用户能够提供具有增强功能的产品（例如，多个元件的环境传感），并显著降低交付周期和库存成本。
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中心波长: 1.550um 输出功率: 40mW用于传感和科学应用的低噪声可调谐激光器。基于电信平台，具有大批量生产和固有的质量控制和可靠性。优化的固件和电子设计确保适用于要求较高的应用，并为传感提供高成本单波长解决方案的替代方案。定制了几个高级功能，并提供了进一步的定制。
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中心波长: 790-792nm 功率: 25-150W 谱宽: 5nm 95% 功率: 0.15-0.2NA 温漂系数: 0.3nm/℃7xxnm系列-光纤输出半导体激光器（FiberCoupled 7xxnm Laser Diode Module）为光纤耦合输出的半导体激光器，其紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量以及高功率密度等特性，赋予了它独特的优势。同时，高电光效率、稳定性能和长寿命更是使它在各种应用场景中脱颖而出。
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中心波长: 808-888nm 功率: 25-175W 谱宽: 1-5nm NA 95%功率时: 0.15-0.2NA 温漂系数: 0.015-0.3nm/℃8xxnm系列-光纤输出半导体激光器为光纤耦合输出的半导体激光器，具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特点，提供稳定的性能和长寿命。
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波长: 790-792nm 功率: 25-150W 谱宽: 5nm 功率 NA: 0.15-0.22 温度系数: 0.3nm/℃7xxnm系列-光纤输出半导体激光器为光纤耦合输出的半导体激光器，具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量及高功率密度等特性，具有高电光效率、稳定性能和长寿命，在多种应用场景中表现出色。
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中心波长: 915-976nm 功率: 200-700W, 260-510W 谱宽: 1-5nm 95%功率: 0.18-0.2 温漂系数: 0.02-0.3nm/℃9xx系列光纤输出半导体激光器具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特性，性能稳定，宽温环境适应，适用于光纤激光器泵浦、工业加工、机器视觉以及光电检测等领域。
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中心波长: 790-792nm 功率: 25-150W 谱宽: 5nm 95%功率数值孔径: 0.15-0.22 温度系数: 0.3nm/℃7xxnm系列-光纤输出半导体激光器（Fiber Coupled 7xxnm Laser Diode Module）具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量以及高功率密度等特性，提供高电光效率、稳定性能和长寿命，适用于中红外激光泵浦、光电检测、激光干扰以及生物医疗等领域。
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中心波长: 808-888nm 功率: 175 谱宽: 1-5nm NA95%功率: 0.15-0.2NA 温漂系数: 0.015-0.3nm/℃8xxnm系列光纤输出半导体激光器（Fiber Coupled 8xxnm Diode Module）以其紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特点具有显著优势。此外，该激光器还具有稳定的性能和长寿命，适用于多种应用领域。