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工作电流
Operating Current（mA）
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工作电压
Operating Voltage（V）
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输出功率
Output Power（mW）
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阈值电流
Threshold Current（mA）
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波长
Wavelength（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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DFB-1310C-PM 激光器
厂家：Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家：Optilab
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SPL BY81-15-34-00C 808nm高功率激光二极管 巴条
厂家：ams OSRAM
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SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管
厂家：ams OSRAM
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SPL EN91-40-8-10B 激光二极管单管；单管功率：11瓦；波长：910nm；条宽：100µm
厂家：ams OSRAM
光电查为您提供7247个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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云底高度范围: 15m～12km 垂直能见度范围: 15m～10km 最多可测云层数: 3层 测量分辨率: 3.75m 硬物目标的测量误差: ±15m全国产化激光云高仪是通过接收大气对光脉冲信号的后向散射信号，并分析得到云层数的数据，对降水期间的垂直能见度和云检测表现出良好的性能。该产品实现百分之百国产化替代，核心元器件均为国产，提高了自主性和安全性。产品在光、机、电方面进行了优化，并结合自主研发的天空算法，可预测天气状况。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C 激光二极管正向电流1437R: 0~2100mA 激光二极管正向电流1439R: 0~2600mA 激光二极管反向电压: 0~2VFOL14xx系列（带隔离器）是专为光学传输系统中的各种光放大器设计，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中使用的掺铒光纤放大器（EDFA）。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 2100mA 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管正向电流: 5mAFOL1437系列（带FBG）是为各种光学放大器设计的，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中使用的拉曼放大器。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 0~2100mA 激光二极管反向电压: 0~2V 光电二极管正向电流: 0~5mAFOL1437R系列（带FBG）专为光学传输系统中的各种光放大器设计，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中使用的拉曼放大器。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 2600mA 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管正向电流: 5mAFOL1439系列（带FBG）专为各种光放大器设计，如光传输系统中使用的拉曼放大器，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 0~3000mA 激光二极管反向电压: 0~2V 光电二极管正向电流: 0~5mAFOL1439系列（带FBG）是为光学传输系统中使用的各种光学放大器设计的，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中使用的拉曼放大器。
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储存温度: -40~85°C 光电二极管反向电压: 0~20V 工作温度: -5~70°C 光电二极管正向电流: 0~5mA 激光二极管反向电压: 0~2VDFB激光器模块，为长途DWDM应用设计，与外部强度调制器配合使用，并集成多种光电组件于标准蝶形封装内。
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ITU频率调谐范围: C:191.3-196.1THz, C++:190.7-196.65THz, L:186.35-190.7THz 光纤输出功率: C/C++:10-17.5dBm, L:10-15.5dBm 寿命期间功率变化: +/-1.0dB 网格间距: 0.1GHz 寿命期间对ITU网格的频率误差: +/-1.5GHz本文档描述了FITEL的微型可调谐激光器组件的规格，该组件的外形和命令接口符合OIF-microITLA-01.0标准。
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储存温度: -40 to 85℃ 工作温度: -10 to 85℃ 连续正向电流: 5mA 连续反向电压: 5V (@10μA) 阈值电流: 0.5 to 1.0mA CW850 nm高斯光束VCSEL芯片，具有高可靠性和低电流操作的特点，可根据要求提供其他配置。
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发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/sVM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。
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发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 数据速率: Up to 112Gbit/s 56GBaud/s PAM-4 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHzVM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现已作为工程样品提供，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源（GSG）微探针或线键进行接触。
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发射波长: 840-860 nm 最大数据速率: 25-28 GBaud/s 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 阈值电流: 0.8 mAV50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。
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发射波长: 940 nm 数据速率: 50-56 GBaud/s 光学带宽: 18-23 GHz 斜率效率: 0.3 W/A 阈值电流: 0.5 mA这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。
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发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHzV25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。
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发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.45W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶部表面单独接触。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50GBaud/s 光学带宽: 18GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 1mAV25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。
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发射波长: 850 nm 数据速率: ~56 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nmVM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。