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  • 激光二极管FIDL-30S-770C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.770um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-770C是770nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构迪奥迪。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-770C是CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

  • 激光二极管FIDL-30S-770X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.770um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-770X是770nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构迪奥迪。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-770X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-30S-820X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.820um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-820X是820nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-820X光源是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-840X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.840um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的840nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-30S-840X光源是一种CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-850X是850nm±10nm AlGaAs/GaAs单用MOCVD半导体激光器制作量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-850X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-870X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.870um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nm±10nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-30S-870X光源是一种CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-894A 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.894um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-894X是894nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-894A光源为CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-905X是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs单量子阱结构,低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-905X光源为CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-910X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.910um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-910X是用MOCVD半导体激光器制作的910nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-30S-910X光源为CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管,输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-947X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.947um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-947X是采用MOCVD半导体激光器制作的947nm InGaAs/GaAs单量子阱结构,低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-947X是一款连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-30S-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-950X是采用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构,低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-980X是980nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-980X光源是一种连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装,集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-665D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.665um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-665D是665nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-500M-665光源为连续多模注入半导体激光二极管。它采用9毫米外壳,集成PD和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-670C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-670C是670nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-670C光源为连续多模式注入半导体激光二极管。它是供应的9毫米外壳,集成PD和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-795X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.795um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-795X是795nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-795X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-808X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-808X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出。电源。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-820X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.820um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-820X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-820X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-830X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-830X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-840X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.840um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-840X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。