德国半导体激光器产品目录_生产厂家

激光二极管FIDL-10S-940X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.940um 输出功率: 10mW

FIDL-10S-940X是采用MOCVD半导体激光器制作的940nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-940X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

激光二极管FIDL-10S-950X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.950um 输出功率: 10mW

FIDL-10S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-950X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

激光二极管FIDL-10S-970X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.970um 输出功率: 10mW

FIDL-10S-970X是用MOCVD半导体激光器制作的970nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-970X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

激光二极管FIDL-10S-980X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.980um 输出功率: 10mW

FIDL-10S-980X是用MOCVD半导体激光器制作的980nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-980X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

激光二极管FIDL-1500M-808X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.808um 输出功率: 1500mW

FIDL-1500M-808X是808nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-808X光源是CW多模注入半导体激光二极管。它是采用9mm TO外壳和TO-3封装，内置TEC、热敏电阻来控制激光二极管芯片的温度，并监控光电二极管以稳定输出功率。光学输出窗口由蓝宝石玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

激光二极管FIDL-1500M-830X-TO3

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.830um 输出功率: 1500mW

FIDL-1500M-830X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的830nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-830X-TO3光源是连续多模式注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。光输出窗口是石英玻璃。该激光二极管适用于各种光电系统。

激光二极管FIDL-1500M-850X-TO3

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.850um 输出功率: 1500mW

FIDL-1500M-850X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-850X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。由蓝宝石玻璃制成的光学输出窗。该激光二极管适用于各种光电系统。

激光二极管FIDL-1500M-860X-TO3

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.860um 输出功率: 1500mW

FIDL-1500M-860X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-860X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。由蓝宝石玻璃制成的光学输出窗。该激光二极管适用于各种光电系统。

激光二极管FIDL-15S-675D

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.675um 输出功率: 15mW

FIDL-15S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCV法制备多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-15S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

激光二极管FIDL-200S-850C

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.850um 输出功率: 200mW

FIDL-200S-850C是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-200S-850C是一种连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

激光二极管FIDL-20M-770X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.770um 输出功率: 20mW

FIDL-20M-770X是用MOCVD半导体激光器制作的770nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20M-770X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许使用激光二极管光谱设备以及各种光电系统。

激光二极管FIDL-20S-650D

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.650um 输出功率: 20mW

FIDL-20S-650D是基于GaInAlP的650nm激光二极管MOCVD制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-650D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统的应用。

激光二极管FIDL-20S-675D

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.675um 输出功率: 20mW

FIDL-20S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

激光二极管FIDL-20S-760X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.760um 输出功率: 20mW

FIDL-20S-760X是760nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-760X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

激光二极管FIDL-20S-770X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.770um 输出功率: 20mW

FIDL-20S-770X是770nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-770X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

激光二极管FIDL-20S-800A-N

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.800um 输出功率: 20mW

FIDL-20S-800A-N是800nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-800A-N是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

激光二极管FIDL-20S-810X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.810um 输出功率: 20mW

FIDL-20S-810X是810nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-810X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

激光二极管FIDL-20S-830X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.830um 输出功率: 20mW

FIDL-20S-830X是810nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光二极管制备的势阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-830X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

激光二极管FIDL-20S-850X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.850um 输出功率: 20mW

FIDL-20S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

激光二极管FIDL-20S-860X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.860um 输出功率: 20mW

FIDL-20S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-860X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。