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  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 637nm 65mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 65mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 660nm 50mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 50mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq iFLEX-iRIS - 660nm 80mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 80mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 780nm 45mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 45mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq iFLEX-iRIS - 780nm 70mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 70mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QLF063A 半导体激光器
    中心波长: 0.660um 输出功率: 100mW

    QLF063A是一种高功率FP激光二极管。激光器安装在TO-56封装中,带有监控光电二极管。阳极和阴极通用型都有。

  • QLF063A-AA 半导体激光器
    中心波长: 0.660um 输出功率: 50mW

    QLF063A-AA是一种高功率FP激光二极管。激光器安装在TO-56封装中,带有监控光电二极管。阳极和阴极通用型都有。

  • QPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S09H脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • 准940nm VCSEL。 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940nm

    准(具有高斯光束形状和多模光谱轮廓)940nm VCSEL。

  • 准单模670纳米VCSEL 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 670nm

    准单模(高斯光束形状;具有多模光谱轮廓)670nm VCSEL,具有线性偏振发射。红色波长非常适合需要光束可见度的应用,例如对准传感器和需要小光斑尺寸的高分辨率应用。

  • 脉冲时间最短的QuickSwitch混合脉冲激光二极管 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    输出功率: 89W 激光波长: 0.905um 脉宽: 2.4 - 3 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    加拿大激光元件公司(Laser Components Canada)开发了一种混合脉冲激光二极管,其脉冲持续时间是目前世界上较短的。在一秒钟内,QuickSwitch PLD可产生高达200,000个激光脉冲,典型持续时间为2.5 ns。根据工作电压,它可实现高达89瓦的光峰值功率。高电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管都嵌入在小型密封封装中,该封装在开关激活时提供EMI屏蔽。具有短脉冲宽度和高频率的高峰值功率激光使得在激光雷达和其他飞行时间应用中能够进行更精确的距离测量。由于具有高kHz脉冲频率,该设备也是扫描的理想选择。

  • 拉曼532纳米光谱稳定的单模激光器FC/PC连接 半导体激光器
    美国
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated 纤维类型: Single Mode, Multi-Mode 波长: 532nm 输出功率: 50mW

    532 nm光谱稳定单模激光器,105微米芯多模光纤耦合输出功率>50 MW,封装在L型模块中,具有集成驱动电子设备和FC/PC隔板。设计用于实验室,用户友好的“L型”提供了一个整体激光驱动和TEC控制电子的交钥匙解决方案。工厂预先设置较佳性能,L型为用户提供远程调整激光驱动电流的能力。该模块具有独立的主电源钥匙开关和激光启用开关、远程联锁和紧急断电(EMO)按钮。“L型”可与SMA905、FC/PC或FC/APC隔板一起订购,以方便跳线连接。该装置配有完整的AC/DC电源。IPS L型模块可在IPS的40多种标准波长中的任何一种下订购,具有单模(保偏)或多模光纤耦合输出。

  • 拉曼532纳米光谱稳定的单模激光器SMA连接 半导体激光器
    美国
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated 纤维类型: Single Mode, Multi-Mode 波长: 532nm 输出功率: 50mW

    532 nm光谱稳定单模激光器,105微米芯多模光纤耦合输出功率>50 MW,封装在L型模块中,带有集成驱动电子设备和SMA隔板。设计用于实验室,用户友好的“L型”提供了一个整体激光驱动和TEC控制电子的交钥匙解决方案。工厂预先设置较佳性能,L型为用户提供远程调整激光驱动电流的能力。该模块具有独立的主电源钥匙开关和激光启用开关、远程联锁和紧急断电(EMO)按钮。“L型”可与SMA905、FC/PC或FC/APC隔板一起订购,以方便跳线连接。该装置配有完整的AC/DC电源。IPS L型模块可在IPS的40多种标准波长中的任何一种下订购,具有单模(保偏)或多模光纤耦合输出。

  • 拉曼785纳米光谱稳定的多模式激光器 半导体激光器
    美国
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated 纤维类型: Single Mode, Multi-Mode 波长: 785nm 输出功率: 500mW 纤维芯直径: 100um

    785 nm光谱稳定的多模激光器,光纤耦合输出功率>500 MW,封装在M型模块中,具有集成激光驱动器和TEC控制电子设备,FC/APC光纤尾纤连接并固定在慢轴上。用户可配置的“M型”专为在实验室中使用而设计,提供了具有集成激光驱动和TEC控制电子设备的交钥匙解决方案,并为用户提供了从前面板或远程调整激光驱动电流的能力。该模块有一个数字读出器,可轻松调整设定点,一个独立的主电源钥匙开关和激光启用开关,一个远程联锁和一个紧急断电(EMO)按钮。“M型”可与SMA905、FC/PC或FC/APC隔板一起订购,以方便跳线连接。该装置配有完整的AC/DC电源。