日本激光器和发光二极管产品目录_生产厂家

SLD334YT

日本

分类：半导体激光器

厂商：Sony Semiconductor Solutions Corporation

技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 795 to 840 nm 输出功率: 2 W 工作电压: 2.2 to 3 V

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD334YT是一款激光二极管，波长为795至840 nm，输出功率为2 W，工作电压为2.2至3 V，工作电流为2.2至3.6 A，阈值电流为600至1000 mA.有关SLD334YT的更多详细信息，请联系我们。

SLD335F

日本

分类：半导体激光器

厂商：Sony Semiconductor Solutions Corporation

技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 to 3 V

SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为5 W，工作电压为2.2至3 V，工作电流为5.2至6.5 A，阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息，请联系我们。

SLD335YT

日本

分类：半导体激光器

厂商：Sony Semiconductor Solutions Corporation

技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2.1 to 3 V

SLD335YT是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2.1至3 V，工作电流为4.3至5.5 A，阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335YT的更多详细信息，请联系我们。

SLD336VF

日本

分类：半导体激光器

厂商：Sony Semiconductor Solutions Corporation

技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.75 W 工作电压: 2 to 2.3 V

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD336VF是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为0.75 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为0.8至1 A，阈值电流为200至300 mA.有关SLD336VF的更多详细信息，请联系我们。

SLD343YT

日本

分类：半导体激光器

厂商：Sony Semiconductor Solutions Corporation

技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2 to 2.3 V

Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD343YT是一种激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为4.6至6.5 A，阈值电流为1000至2000 mA.有关SLD343YT的更多详细信息，请联系我们。

SLD344YT

日本

分类：半导体激光器

厂商：Sony Semiconductor Solutions Corporation

技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 6 W 工作电压: 2 to 2.3 V

SLD344YT是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为6 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为7至9 A，阈值电流为1400至3000 mA.有关SLD344YT的更多详细信息，请联系我们。

SLD431S

日本

分类：半导体激光器

厂商：Sony Semiconductor Solutions Corporation

技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.9 to 2.5 V

SLD431S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为805至811 nm，输出功率为20 W，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为25至30 A，阈值电流为6000至15000 mA.有关SLD431S的更多详细信息，请联系我们。

SLD432S

日本

分类：半导体激光器

厂商：Sony Semiconductor Solutions Corporation

技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 40 W 工作电压: 1.9 to 2.8 V

SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为40 W，工作电压为1.9至2.8 V，工作电流为50至55 A，阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息，请联系我们。

SLD433S4

日本

分类：半导体激光器

厂商：Sony Semiconductor Solutions Corporation

技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 60 W 工作电压: 2.5 V

SLD433S4是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为805至811 nm，输出功率为60 W，工作电压为2.5 V，工作电流为75至85 A，阈值电流为17000至22000 mA.有关SLD433S4的更多详细信息，请联系我们。

LDH-G1000

日本

分类：激光器模块和系统

厂商：Spectronix

类型: Laser System 技术: Mode-Locked Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Picosecond Lasers 波长: 532 nm

Spectronix的LDH-G1000是一款波长为532 nm、功率为10 W、输出功率（脉冲）为10 W、工作温度为15至30摄氏度、存储温度为0至50摄氏度的激光器。有关LDH-G1000的更多详细信息，请联系我们。

LDH-V2000

日本

分类：激光器模块和系统

厂商：Spectronix

类型: Laser System 技术: Mode-Locked Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Picosecond Lasers 波长: 355 nm

Spectronix公司的LDH-V2000是一种波长为355 nm、功率为20 W、输出功率（脉冲）为20 W、脉冲能量为0.2 MJ、工作温度为15至30摄氏度的激光器。有关LDH-V2000的更多详细信息，请联系我们。

LDH-X0300

日本

分类：激光器模块和系统

厂商：Spectronix

类型: Laser System 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Picosecond Lasers 波长: 266 nm 可调谐: No

Spectronix的LDH-X0300是一款波长为266 nm、功率为2 W、输出功率（脉冲）为2 W、脉冲能量为0.06 MJ、工作温度为15至30摄氏度的激光器。有关LDH-X0300的更多详细信息，请联系我们。

LVE-G0300

日本

分类：激光器模块和系统

厂商：Spectronix

类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 532 nm

Spectronix的LVE-G0300是一款波长为532 nm、功率为3 W、输出功率（脉冲）为3 W、工作温度为15至30摄氏度、存储温度为0至50摄氏度的激光器。有关LVE-G0300的更多详细信息，请联系我们。

LVE-G1000

日本

分类：激光器模块和系统

厂商：Spectronix

类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 532 nm

Spectronix的LVE-G1000是一款波长为532 nm、功率为10 W、输出功率（脉冲）为10 W、工作温度为15至30摄氏度、存储温度为0至50摄氏度的激光器。有关LVE-G1000的更多详细信息，请联系我们。

LVE-G1010

日本

分类：激光器模块和系统

厂商：Spectronix

类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 532 nm

来自Spectronix的LVE-G1010是波长为532nm、功率为3.5W、输出功率（脉冲）为3.5W、脉冲能量为0.35mJ、工作温度为15至30摄氏度的激光器。

ZEUBE265-2CA

日本

分类：发光二极管

厂商：Stanley Electric

芯片技术: AlGaN, AIN 颜色: Ultraviolet 透镜类型: Quartz Glass 无铅: Yes RoHS: Yes

Stanley Electric的Zeube265-2CA-TR是一款基于陶瓷的LED，峰值波长为265 nm.该深紫外LED的功耗为4.6 W，正向电流为100~500 mA.它提供高达2 kV的ESD保护，工作温度范围为-30至+85摄氏度。这款符合ROHS2标准的LED由AlGaN/AlN芯片材料制成，采用密封封装，尺寸为3.5 X 3.5 X 2.24 mm.它是家用净水器、水净化设备、加湿器、消毒柜、生物/医疗设备、图像检测灯、水质传感器和杀菌设备应用的理想选择。

TL1F2-DW0,L

日本

分类：发光二极管

厂商：Toshiba Corporation

芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W

来自东芝公司的TL1F2-DW0，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为135 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。TL1F2-DW0，L的更多详细信息可参见下文。

TL1F2-LL1,L

日本

分类：发光二极管

厂商：Toshiba Corporation

芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W

来自东芝公司的TL1F2-LL1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为100 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。

TL1F2-LW1,L

日本

分类：发光二极管

厂商：Toshiba Corporation

芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W

来自东芝公司的TL1F2-LW1，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为105 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。

TL1F2-NW0,L

日本

分类：发光二极管

厂商：Toshiba Corporation

芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White RoHS: Yes 热敏电阻: 8 Degree C/W

来自东芝公司的TL1F2-NW0，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为135 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。