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  • SML-M13RT 发光二极管
    SML-M13RT
    日本
    分类：发光二极管
    厂商：ROHM Semiconductor
    RoHS: Yes 正向电压: 1.4 V 正向电流: 30 mA 波长: 870 nm

    来自Rohm Semiconductor的SML-M13RT是正向电压为1.4 V、正向电流为30 mA、反向电流为10 uA、波长为870 nm、功率为0至0.06 W（60 MW）的LED.有关SML-M13RT的更多详细信息，请联系我们。

  • SMLD12BN1W 发光二极管
    SMLD12BN1W
    日本
    分类：发光二极管
    厂商：ROHM Semiconductor
    芯片技术: InGaN 颜色: Blue RoHS: Yes 正向电压: 2.9 V 正向电流: 5 mA

    来自Rohm Semiconductor的SMLD12BN1W是一款LED，正向电压为2.9 V，正向电流为5 mA，发光强度CD为0.01 4至0.04 CD，发光强度MCD为14至40 MCD，反向电流为10µA.有关SMLD12BN1W的更多详细信息，请联系我们。

  • SMLD12E2N1W 发光二极管
    SMLD12E2N1W
    日本
    分类：发光二极管
    厂商：ROHM Semiconductor
    芯片技术: InGaN 颜色: Bluish-Green RoHS: Yes 正向电压: 2.9 V 正向电流: 20 mA

    来自Rohm Semiconductor的SMLD12E2N1W是一款LED，正向电压为2.9 V，正向电流为20 mA，发光强度CD为0.056至0.12，发光强度MCD为56至120 MCD，反向电流为10µA.有关SMLD12E2N1W的更多详细信息，请联系我们。

  • SMLD12E3N1W 发光二极管
    SMLD12E3N1W
    日本
    分类：发光二极管
    厂商：ROHM Semiconductor
    芯片技术: InGaN 颜色: Bluish-Green RoHS: Yes 正向电压: 2.9 V 正向电流: 20 mA

    来自Rohm Semiconductor的SMLD12E3N1W是一款LED，正向电压为2.9 V，正向电流为20 mA，发光强度CD为0.056至0.085 CD，发光强度MCD为56至85 MCD，反向电流为10µA.有关SMLD12E3N1W的更多详细信息，请联系我们。

  • SMLD12EN1W 发光二极管
    SMLD12EN1W
    日本
    分类：发光二极管
    厂商：ROHM Semiconductor
    芯片技术: InGaN 颜色: Green RoHS: Yes 正向电压: 3 V 正向电流: 5 mA

    来自Rohm Semiconductor的SMLD12EN1W是一款LED，正向电压为3 V，正向电流为5 mA，发光强度CD为0.056至0.14 CD，发光强度MCD为56至140 MCD，反向电流为10µA.有关SMLD12EN1W的更多详细信息，请联系我们。

  • SMLD12WBN1W 发光二极管
    SMLD12WBN1W
    日本
    分类：发光二极管
    厂商：ROHM Semiconductor
    芯片技术: InGaN 色度坐标: (x,y)(0.295, 0.280) 颜色: White RoHS: Yes 正向电压: 2.9 V

    Rohm的SMLD12WBN1W是一款白色芯片LED，采用1.6 X 0.8 mm尺寸封装。它的发光强度为120 MCD，输出功率为66 MW.该LED在工作1，000小时（@25°C，IF=20mA）后保持100%的亮度。该封装由一种新型树脂材料制成，与使用硅树脂的产品相比，其强度提高了25倍。这种新型封装具有出色的可安装性和较长的使用寿命，非常适合用于工业和紧凑型消费电子设备中的显示面板（如温度控制显示器）。

  • SMLD12x系列 发光二极管
    SMLD12x系列
    日本
    分类：发光二极管
    厂商：ROHM Semiconductor
    芯片技术: InGaN 色度坐标: (x,y)(0.295, 0.280) 颜色: Green, Bluish-Green, Blue, White RoHS: Yes 正向电压: 2.9 to 3 V

    来自Rohm Semiconductor的SMLD12x系列是一款LED，正向电压为2.9至3 V，正向电流为5 mA，发光强度CD为0.01 4至0.14 CD，发光强度MCD为14至140 MCD，反向电流为10µA.有关SMLD12x系列的更多详细信息，请联系我们。

  • SMLMN2ECT(C) 发光二极管
    SMLMN2ECT(C)
    日本
    分类：发光二极管
    厂商：ROHM Semiconductor
    芯片技术: InGaN 颜色: Bluish-Green 正向电压: 3 V 正向电流: 5 to 20 mA 波长: 464 to 476 nm

    Rohm Semiconductor的SMLMN2ECT（C）是一款LED，正向电压为3 V，正向电流为5至20 mA，发光强度CD为0.056至0.14 CD，发光强度MCD为56至140 MCD，反向电流为10µA.有关SMLMN2ECT（C）的更多详细信息，请联系我们。

  • SMLP13WBC9W 发光二极管
    SMLP13WBC9W
    日本
    分类：发光二极管
    厂商：ROHM Semiconductor
    芯片技术: InGaN 颜色: White 正向电压: 2.9 V 正向电流: 5 to 10 mA

    来自Rohm Semiconductor的SMLP13WBC9W是一款LED，正向电压为2.9 V，正向电流为5至10 mA，发光强度CD为0.09至0.15 CD，发光强度MCD为90至150 MCD，反向电流为100µA.有关SMLP13WBC9W的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2BPND1 半导体激光器
    RLD2BPND1
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 660 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 0.023 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPND1是波长为660nm，输出功率为0.02W，工作电压为2.2V，工作电流为0.023A，阈值电流为13mA的激光二极管。有关RLD2BPND1的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2BPNK2 半导体激光器
    RLD2BPNK2
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 787 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.029 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK2是一种波长为787nm、输出功率为0.02W、工作电压为1.8V、工作电流为0.029A、阈值电流为12mA的激光二极管。有关RLD2BPNK2的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2BPNK4 半导体激光器
    RLD2BPNK4
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK4是一种波长为792nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.03A、阈值电流为10mA的激光二极管。有关RLD2BPNK4的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2BPNK5 半导体激光器
    RLD2BPNK5
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 787 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.023 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK5是一种波长为787nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.023A、阈值电流为12mA的激光二极管。有关RLD2BPNK5的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2WMFL3 半导体激光器
    RLD2WMFL3
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 685 to 782 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.2 V 工作电流: 0.017 to 0.018 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMFL3是波长为685至782nm的激光二极管，输出功率为0.01W，工作电压为1.8至2.2V，工作电流为0.017至0.018A，阈值电流为12至13mA.有关RLD2WMFL3的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2WMFR1 半导体激光器
    RLD2WMFR1
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 658 to 790 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.9 to 2.3 V 工作电流: 0.045 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMFR1是波长为658至790 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为1.9至2.3 V、工作电流为0.045 A、阈值电流为30至35 mA的激光二极管。有关RLD2WMFR1的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2WMFV2 半导体激光器
    RLD2WMFV2
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 658 to 782 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.027 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMFV2是波长为658至782nm的激光二极管，输出功率为0.01W，工作电压为1.8至2.3V，工作电流为0.027A，阈值电流为18至20mA.有关RLD2WMFv2的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2WMNL2-00x 半导体激光器
    RLD2WMNL2-00x
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: CW Laser 波长: 658 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.018 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2-00X是波长为658至668 nm的激光二极管，输出功率为0至0.007 W，工作电压为2.3至2.8 V，工作电流为0.018至0.035 A，阈值电流为18至35 mA.有关RLD2WMNL2-00x的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2WMNL2-01x 半导体激光器
    RLD2WMNL2-01x
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: CW Laser 波长: 658 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.007 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.018 to 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2-01X是波长为658至668nm的激光二极管，输出功率为0至0.007W，工作电压为2.3至2.8V，工作电流为0.018至0.035A，阈值电流为18至35mA.有关RLD2WMNL2-01x的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2WMNL2 半导体激光器
    RLD2WMNL2
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 663 to 785 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.024 A

    来自Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2是波长为663至785nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8至2.3V、工作电流为0.02至0.024A、阈值电流为15至18mA的激光二极管。有关RLD2WMNL2的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD4BPMP1 半导体激光器
    RLD4BPMP1
    日本
    分类：半导体激光器
    厂商：ROHM Semiconductor
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 792 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.03 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD4BPMP1是一种波长为792nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.8V、工作电流为0.03A、阈值电流为10mA的激光二极管。有关RLD4BPMP1的更多详细信息，请联系我们。