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中心波长: 1.550um 输出功率: 2mWFLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm激光二极管，由MBE半导体激光器制成。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.550um 输出功率: 30mWFLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm激光二极管，由MBE半导体激光器制成。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用SOT-148外壳（内置监控光电二极管）、TO-3外壳（内置监控光电二极管）、TECAND热敏电阻和C型安装。该激光器适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.550um 输出功率: 40mWFLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。
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中心波长: 1.550um 输出功率: 500mWFLO-550是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的基于GaInP/InP多量子阱异质结构的1550nm高功率半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-550采用HHL密封封装，集成TEC、热敏电阻和监控二极管，以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光学输出。本发明适用于各种光电系统和宽温度范围的应用。范围。
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中心波长: 1.480um 输出功率: 10mWFLO-601–基于InGaAsP/InP异质结构的单模FP激光器，连续输出功率为10mW，发射波长为1470~1490nm。激光二极管采用INSOT-148（9mm）外壳，内置监控光电二极管，可在宽温度范围内工作，具有高输出功率稳定性和超过105小时的使用寿命。FLO-601–是报警和光学同步的较佳光源。
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中心波长: 1.725um 输出功率: 300mWFLO-950是基于GaInAsP/InP量子阱结构的1725nm半导体激光器，采用MOCVD/MBE半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FLO-950采用开放式底座和HHL密封封装，集成TEC、热敏电阻和监控二极管以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光输出。激光二极管适用于医疗和各种其他光电系统。
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中心波长: 1.064um 输出功率: 1500mWFLX-1064-1500M-50是在1064nm处具有1500mW连续输出功率的多模半导体激光二极管。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、9mm to CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.064um 输出功率: 5000mWFLX-1064-5000M-150是一款多模半导体激光器。在1064nm连续输出功率为5000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.120um 输出功率: 1200mWFLX-1120-1200M-50是一款多模半导体激光器。1120nm连续输出功率1200mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.120um 输出功率: 2000mWFLX-1120-2000M-50是在1120nm处具有2000mW连续输出功率的多模半导体激光二极管。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.120um 输出功率: 2500mWFLX-1120-2500M-100是一款多模半导体激光二极管，在1120nm处具有2500mW连续输出功率。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.120um 输出功率: 4000mWFLX-1120-4000M-150是一款多模半导体激光二极管，在1120nm处具有4000mW连续输出功率。可用的封装有B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.210um 输出功率: 50mWFLX-1210-1200M-50是一款多模半导体激光器。1210nm连续输出功率1200mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.210um 输出功率: 2000mWFLX-1210-2000M-100是一款多模半导体激光二极管，在1210nm处具有2000mW连续输出功率。可用的封装有B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.350um 输出功率: 1500mWFLX-1350-1500M-150是一款多模半导体激光二极管，在1350nm处具有1500mW连续输出功率。可用的封装有B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.350um 输出功率: 3500mWFLX-1350-3500M-100是在1350nm处具有3500mW连续输出功率的多模半导体激光二极管。可用的封装有B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.350um 输出功率: 5000mWFLX-1350-5000M-100是一款多模半导体激光器。在1350nm处具有5000mW连续输出功率的二极管。可用的封装为B-mount、C-mount和Q-mount。它是合适的用于各种光电应用。
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中心波长: 1.450um 输出功率: 2500mWFLX-1450-2500M-95是一款多模半导体激光器。在1450nm连续输出功率为2500mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、9mm TO CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.470um 输出功率: 7000mWFLX-1470-7000M-150是在1470nm处具有7000mW连续输出功率的多模半导体激光二极管。可用封装为厚C-Mount。它适用于各种光电应用。
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中心波长: 1.470um 输出功率: 8000mWFLX-1470-8000M-200是一款多模半导体激光二极管，在1470nm处具有8000mW连续输出功率。可用封装为厚C-Mount。它适用于各种光电应用。