德国FrankFurt Laser Company激光器和发光二极管产品目录

激光二极管fkld-5s-637-40x

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.637um 输出功率: 5mW

FKLD-5S-637-40X是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于低操作电流增强可靠性。FKLD-5S-637-40X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

激光二极管FKLD-5S-650-50X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

FKLD-5S-650-50X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-50X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

激光二极管fkld-5s-650-60x

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

FKLD-5S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

激光二极管fkld-5s-650-70x

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

FKLD-5S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

激光二极管FKLD-5S-650-70X-L

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

FKLD-5S-650-70X-L是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-70X-L是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于DVD播放器和DVD ROM以及其他光电系统。

激光二极管fkld-5s-670-60x

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.670um 输出功率: 5mW

FKLD-5S-670-60X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

激光二极管fkld-5s-670-70x

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.670um 输出功率: 5mW

FKLD-5S-670-70X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-670-70X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

激光二极管fkld-5s-850-60x

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.850um 输出功率: 5mW

FKLD-5S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

激光二极管FKLD-60S-640-40X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.640um 输出功率: 60mW

FKLD-60S-640-40X是用MOCVD半导体激光器制备的640nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-60S-640-40X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

激光二极管FKLD-7S-650-70X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.655um 输出功率: 7mW

FKLD-7S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-7S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头（DVD+CDRW组合驱动器）和其他光电系统。

激光二极管FKLD-80S-660-60X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.660um 输出功率: 80mW

FKLD-80S-660-60X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-80S-660-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。

激光二极管FKLD-9S-680-60X

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 0.680um 输出功率: 9mW

FKLD-9S-680-60X是680nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-9S-680-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

激光二极管FLO-401 # 403

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.330um 输出功率: 10mW

FLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管flo-402 # 403

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.330um 输出功率: 20mW

FLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管flo-403 # 403

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.330um 输出功率: 30mW

FLO-401#403是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1270-1330nm激光二极管，采用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管，TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管flo-404 # 405

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.300um 输出功率: 40mW

FLO-404#405是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1300±30nm半导体激光器，采用MOCVD半导体激光器制备。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-404#405是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管flo-405 # 405

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.300um 输出功率: 50mW

FLO-404#405是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1300±30nm半导体激光器，采用MOCVD半导体激光器制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-404#405是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管，TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

激光二极管flo-450

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.260um 输出功率: 400mW

FLO-450是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的GaInAsP/InP量子阱结构的1260nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-450采用HHL密封封装，集成TEC、热敏电阻和监控二极管，以稳定功率。该激光器通过AR镀膜玻璃窗口实现光输出，适用于各种光电系统。

激光二极管Flo-500 # 502

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.550um 输出功率: 5mW

FLO-500#502是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-500#502是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电子器件系统。

激光二极管FLO-500 # 502 1550nm 0.015W

德国

分类：半导体激光器

厂商：法兰克福激光公司

中心波长: 1.550um 输出功率: 15mW

FLO-500#502是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-500#502是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。