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集电极发射极电压（击穿）
Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）
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集电极发射极电压（饱和）
Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）
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集电极暗电流
Collector-Dark Current（nA）
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发射极集电极电压（击穿）
Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）
确定 取消 -
导通状态集电极电流
On-State Collector Current（mA）
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波长（光谱灵敏度）
Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.75 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPNTT Electronics的OP506W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP506W的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPNTT Electronics的OP508FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.7 mA.有关OP508FA的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN来自TT Electronics的OP508FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.65至5.1 mA.有关OP508FB的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN来自TT Electronics的OP508FC是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.34 mA.有关OP508FC的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN来自TT Electronics的OP509A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流5.7 mA.有关OP509A的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN来自TT Electronics的OP509B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.4至10.6 mA.有关OP509B的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPNTT Electronics的OP509C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.7 mA.有关OP509C的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN来自TT Electronics的OP535A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为10.5 mA.有关OP535A的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN来自TT Electronics的OP535B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.5至32.0 mA.有关OP535B的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN来自TT Electronics的OP535C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为1.5 mA.有关OP535C的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN来自TT Electronics的OP538FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.3至20.5 mA.有关OP538FB的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN来自TT Electronics的OP538FC是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.1 mA.有关OP538FC的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN来自TT Electronics的OP550A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP550A的更多详细信息，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPNTT Electronics的OP550B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP550B的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPNTT Electronics的OP550C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP550C的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPNTT Electronics的OP550D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP550D的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN来自TT Electronics的OP552A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552A的更多详情，请联系我们。
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输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN来自TT Electronics的OP552B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552B的更多详情，请联系我们。