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  OP705D

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP705D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至12 mA.有关OP705D的更多详情，请联系我们。

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  OP750A

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  TT Electronics的OP750A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP750A的更多详情，请联系我们。

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  OP750B

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP750B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP750B的更多详情，请联系我们。

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  OP750C

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP750C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至2.8 mA.有关OP750C的更多详情，请联系我们。

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  OP750D

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP750D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至7 mA.有关OP750D的更多详情，请联系我们。

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  OP755A

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP755A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP755A的更多详情，请联系我们。

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  OP755B

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP755B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.5至4.2 mA.有关OP755B的更多详情，请联系我们。

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  OP755D

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP755D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至7 mA.有关OP755D的更多详情，请联系我们。

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  OP770A

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP770A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP770A的更多详情，请联系我们。

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  OP770B

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP770B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP770B的更多详情，请联系我们。

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  OP770D

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP770D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.85至7 mA.有关OP770D的更多详情，请联系我们。

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  OP775A

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP775A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP775A的更多详情，请联系我们。

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  OP775B

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP775B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP775B的更多详情，请联系我们。

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  OP775C

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP775C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.85至2.8 mA.有关OP775C的更多详情，请联系我们。

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  OP775D

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP775D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.85至7 mA.有关OP775D的更多详情，请联系我们。

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  OP793A

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP793A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.45至7.5 mA.有关OP793A的更多详情，请联系我们。

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  OP793B

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP793B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.65至4.55 mA.有关OP793B的更多详情，请联系我们。

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  OP793C

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP793C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.9至3.05 mA.有关OP793C的更多详情，请联系我们。

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  OP793D

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP793D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.9至7.5 mA.有关OP793D的更多详细信息，请联系我们。

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  OP798A

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP798A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为4.9 mA至15 mA.有关OP798A的更多详情，请联系我们。