光电查为您提供188个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  OP804SL

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为7 mA至22 mA，功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情，请联系我们。

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  OP805SL

  加拿大

  分类：光电晶体管

  厂商：TT Electronics

  输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

  来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为15 mA，功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情，请联系我们。

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  PT008-05

  日本

  分类：光电晶体管

  厂商：牛尾

  材料: Clear Epoxy Resin 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

  来自Ushio Inc.的PT008-05是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流100nA、集电极发射极电压（饱和）0.2V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-05的更多详细信息，请联系我们。

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  PT008-SMC

  日本

  分类：光电晶体管

  厂商：牛尾

  材料: Silicone 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

  来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压（饱和）0.3V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息，请联系我们。

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  PT010-05

  日本

  分类：光电晶体管

  厂商：牛尾

  材料: Clear Epoxy Resin 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 10 V

  Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息，请联系我们。

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  PT010-33

  日本

  分类：光电晶体管

  厂商：牛尾

  材料: Clear Epoxy Resin 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 10 V

  Ushio Inc.的PT010-33是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-33的更多详细信息，请联系我们。

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  BPV11

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为130至300 MV，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息，请联系我们。

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  BPV11F

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW76A

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW76B

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW85

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW85是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW85A

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW85A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85A的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW85B

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW85B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85B的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW85C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW85C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85C的更多详细信息，请联系我们。

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  T1070P

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的T1070P是一款光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.1 V，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为440至800 nm.有关T1070P的更多详细信息，请联系我们。

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  T1090P6

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的T1090P6是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为80 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为620至1000 nm.有关T1090P6的更多详细信息，请联系我们。

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  T5096P

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为85 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息，请联系我们。

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  TEFT4300

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息，请联系我们。

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  TEMT1000

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。

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  TEMT1020

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的TEMT1020是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1020的更多详细信息。