参数:
  • 集电极发射极电压(击穿)

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)

    确定 取消
  • 集电极发射极电压(饱和)

    Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)

    确定 取消
  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current(nA)

    确定 取消
  • 发射极集电极电压(击穿)

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)

    确定 取消
  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current(mA)

    确定 取消
  • 波长(光谱灵敏度)

    Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)

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  • OP506D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息,请联系我们。

  • OP506W 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.75 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP506W是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP506W的更多详细信息,请联系我们。

  • OP508FA 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP508FA是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.7 mA.有关OP508FA的更多详细信息,请联系我们。

  • OP508FB 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP508FB是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.65至5.1 mA.有关OP508FB的更多详细信息,请联系我们。

  • OP508FC 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP508FC是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.34 mA.有关OP508FC的更多详情,请联系我们。

  • OP509A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP509A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流5.7 mA.有关OP509A的更多详细信息,请联系我们。

  • OP509B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP509B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.4至10.6 mA.有关OP509B的更多详细信息,请联系我们。

  • OP509C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP509C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.7 mA.有关OP509C的更多详细信息,请联系我们。

  • OP535A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP535A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为10.5 mA.有关OP535A的更多详细信息,请联系我们。

  • OP535B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP535B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为3.5至32.0 mA.有关OP535B的更多详情,请联系我们。

  • OP535C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP535C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为1.5 mA.有关OP535C的更多详情,请联系我们。

  • OP538FA 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为225 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息,请联系我们。

  • OP538FB 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP538FB是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为225 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为2.3至20.5 mA.有关OP538FB的更多详细信息,请联系我们。

  • OP538FC 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP538FC是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为225 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.1 mA.有关OP538FC的更多详情,请联系我们。

  • OP550A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP550A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP550A的更多详细信息,请联系我们。

  • OP550B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP550B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP550B的更多详情,请联系我们。

  • OP550C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP550C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP550C的更多详情,请联系我们。

  • OP550D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP550D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP550D的更多详情,请联系我们。

  • OP552A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552A的更多详情,请联系我们。

  • OP552B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552B的更多详情,请联系我们。