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  UV-013DQ

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 150 pF

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-013DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为150 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013DQ的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-013EQ

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 280 pF

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-013EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为280 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为3.6 mm.有关UV-013EQ的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-015

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-015是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为800 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为2µs.有关UV-015的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-035DQ

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQ的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-035DQC

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-035EQ

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为800 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为2µs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-100

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-100是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-100DQ

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为1100 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为3µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-100EQ

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为7µs，有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-100L

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-100L是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为5.9µs.有关UV-100L的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-20

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-20是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1000 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为2µs.有关UV-20的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-35

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-35是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1600 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3µs.有关UV-35的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-35P

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-35P是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1600 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3µs.有关UV-35P的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-50

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-50是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5µs.有关UV-50的更多详细信息，请联系我们。

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  UV-50L

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Laser Diode, Inc.

  波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

  OSI Laser Diode，Inc.的UV-50L是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5µs.有关UV-50L的更多详细信息，请联系我们。

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  APA1101040000

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：II-VI Laser Enterprise GmbH

  光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

  来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。

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  APA1101120000

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：II-VI Laser Enterprise GmbH

  光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

  来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。

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  APA1201010000

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：II-VI Laser Enterprise GmbH

  光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

  来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。

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  APA1201040000

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：II-VI Laser Enterprise GmbH

  光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

  来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。

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  APA1201120000

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：II-VI Laser Enterprise GmbH

  光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

  来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息，请联系我们。