- 波兰
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探测器类型: Type II superlattice, two-stage thermoelectrically cooled, photoconductive detector 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 6.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 11.0±0.3µmPCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 是一种二类超晶格双级热电冷却红外光电导探测器，具有出色的参数。光电导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。带有楔形锌硒化物防反射涂层窗口（wZnSeAR）的3°窗口可防止不需要的干扰效应。对于连续波辐射的检测，建议使用光学切断系统。该探测器不含汞或镉，并符合RoHS指令。
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截止波长(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长: 3.5±0.5µm 最佳波长: 4.0µm 截止波长(10%): 4.3±0.3µm 探测率D*: ≥2.0×10^10cm·Hz1/2/WLabM-I-4是一款实验室红外检测模块，采用基于HgCdTe异质结构的光学浸入式光伏探测器，集成了跨导可编程前置放大器。3°角度的蓝宝石窗口防止了不必要的干扰效应。为了正常运行，需要使用可编程的“智能” VIGO 热电制冷器控制器 PTCC-01（需另外购买）和免费的Smart Manager软件。LabM-I-4模块附带PTCC-01和Smart Manager软件，是各种中波红外应用的原型设计和研发阶段的最佳解决方案。该套件为系统设计者提供了灵活的选择。
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探测器类型: PVMQ-10.6 有源元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥2.0×10^7cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^7cm·Hz1/2/WPVMQ是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器，以实现最佳性能和稳定性。四分之一探测器由四个独立的活动元件组成，排列成四分之一几何结构。该设备在10.6 µm波长处进行了最大性能优化。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化，需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/WPC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能，应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低，1/f噪声拐点频率随截止波长增加。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µmPVI-5-1×1-TO39-NW-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器，具有最佳性能和稳定性。该设备针对5 µm的最大性能进行了优化。探测器元件单片集成了超半球形GaAs微透镜，以提高设备性能。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围，还可以提高高频性能，但在偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
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探测器类型: uncooled IR photovoltaic detector 活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.1±0.2µm, 2.0±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.4±0.2µm, 4.4±0.2µm 截止波长λcut-off(10%): ≥5.3µm, ≥5.3µmPV-5-AF系列采用先进的HgCdTe异质结构，具有卓越的性能和稳定性。采用抗条纹技术，大大减少了光学条纹效应。适用于气体检测、监测和分析。