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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 0.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 响应度/光敏度: 40 to 50 A/WFirst Sensor的501829是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为40至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501829的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 0.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 响应度/光敏度: 40 to 50 A/WFirst Sensor的501830是一个光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为40至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501830的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 0.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 响应度/光敏度: 45 to 50 A/WFirst Sensor的501831是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为0.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为45至50 A/W，有效面积直径为100µm.有关501831的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 730 pF来自Light Avenue的LA PD120AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为730 PF、暗电流反向暗电流为2至5 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD120AP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 30 to 90 pF来自Light Avenue的LA PD120BP1是波长范围为940 nm、带宽为350至1100 nm、电容为30至90 PF、暗电流为2至5 nA、上升时间为40 ns的光电二极管。有关LA PD120BP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 25 to 70 pF来自Light Avenue的LA PD120HP1是波长范围为940nm、带宽为430至1100nm、电容为25至70pF、暗电流为2至5nA、上升时间为100ns的光电二极管。有关LA PD120HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.3 pF来自Light Avenue的LA PD26HP1是波长范围为900 nm、带宽为430至1100 nm、电容为1.3 PF、反向暗电流为0.1至3 nA、上升时间为4 ns的光电二极管。有关LA PD26HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 28 pF来自Light Avenue的LA PD28AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为28 PF、反向暗电流为0.1至2 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD28AP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 to 18 pF来自Light Avenue的LA PD60HP1是波长范围为950nm、带宽为590至1070nm、电容为6至18pF、暗电流为3至5nA、上升时间为625ns的光电二极管。有关LA PD60HP1的更多详细信息，请联系我们。
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工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nAD40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。
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安装类型: Chip 光电晶体管型: Phototransistor 集电极发射极电压（击穿）: 6 V 集电极暗电流: 3 to 50 nA 发射极集电极电压（击穿）: 1.5 V来自Light Avenue的LA PT28AP1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为570 nm.有关LA PT28AP1的更多详细信息，请联系我们。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 1920 # 像素（高度）: 1080 全帧速率: 60fps超小型超灵敏HD-SDI/EX-SDI和CVBS全高清彩色摄像机（22mm x26mm）
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传感器类型: CMOS, CCD # 像素（宽度）: 249 # 像素（高度）: 250 像素大小: 3um 全帧速率: 44fps该设备较多可与两个由CMOS图像传感器组成的Naneye微型摄像头模块配合使用。这些传感器由特殊的透镜组装而成，直径仅为1.5毫米，可由长达2米的带状电缆驱动。相机光学元件覆盖1 mm X 1 mm的视场，62.5 kPixel（250 X 250 Pixel），间距为3µm，可提供清晰锐利的图像和宽广的景深。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 1920 # 像素（高度）: 1200 全帧速率: 160fps 位深度: 8bitBoost系列由现代高性能相机组成，由于采用了CoaXpress 2.0和现代CMOS传感器，即使在高数据速率（每根电缆高达12.5 Gbps）下也能为您提供出色的图像质量。这些相机配备了索尼Pregius传感器IMX255和IMX253，分辨率为900万或1200万像素。只需一根同轴电缆，您就可以实现高达每秒93帧的速度。GENTL标准可以轻松地将组件集成到您的图像处理系统中。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 2048 # 像素（高度）: 1088 像素大小: 5.5um 全帧速率: 340fpsAdimec Quartz系列是我们较通用的高性能相机系列，为各种应用提供完整的功能。基于我们专有的ADIMEC True Accurate Imaging®技术和先进的全局快门CMOS传感器，Quartz系列可提供您所需的性能，而不会影响测量精度。Quartz系列是计量和检测设备以及从2D到3D检测的理想选择，可根据您的具体要求进行定制。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 5120 # 像素（高度）: 5120 像素大小: 4.5um 全帧速率: 32fpsS-25A30是一款2500万像素CMOS全局快门相机，可通过Camera Link以32 FPS的速度提供5120 X 5120像素的图像。使用标准的感兴趣区域函数，可以增加帧速率，例如在8mpx时为100fps。嵌入式实时像素处理较大限度地减少瑕疵，并较大限度地提高均匀性。ADIMEC图像质量、外形尺寸和低功耗的组合使该相机成为需要高分辨率以提高吞吐量或精度的检测系统的理想选择。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 1920 # 像素（高度）: 1080 全帧速率: 60fps全高清10倍光学变焦模组