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  • OP798B 光电晶体管
    OP798B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP798B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流3.3至9.2 mA.有关OP798B的更多详情，请联系我们。

  • OP798C 光电晶体管
    OP798C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP798C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.9至6.1 mA.有关OP798C的更多详情，请联系我们。

  • OP798D 光电晶体管
    OP798D
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP798D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.9至15 mA.有关OP798D的更多详情，请联系我们。

  • OP800A 光电晶体管
    OP800A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800A是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6 mA，功耗为250 MW.有关OP800A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP800B 光电晶体管
    OP800B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800B是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA，功耗为250 MW.有关OP800B的更多详情，请联系我们。

  • OP800C 光电晶体管
    OP800C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800C是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.9至3.6 mA，功耗为250 MW.有关OP800C的更多详细信息，请联系我们。

  • OP800D 光电晶体管
    OP800D
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800D是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.45 mA，功耗为250 MW.有关OP800D的更多详情，请联系我们。

  • OP800SL 光电晶体管
    OP800SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP800WSL 光电晶体管
    OP800WSL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP801SL 光电晶体管
    OP801SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为0.5 mA至3 mA，功耗为250 MW.有关OP801SL的更多详情，请联系我们。

  • OP801WSL 光电晶体管
    OP801WSL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5 mA至3 mA，功耗为250 MW.有关OP801WSL的更多详情，请联系我们。

  • OP802SL 光电晶体管
    OP802SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2 mA至5 mA，功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情，请联系我们。

  • OP802WSL 光电晶体管
    OP802WSL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2.5 mA，功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情，请联系我们。

  • OP803SL 光电晶体管
    OP803SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为4 mA至8 mA，功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情，请联系我们。

  • OP804SL 光电晶体管
    OP804SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为7 mA至22 mA，功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情，请联系我们。

  • OP805SL 光电晶体管
    OP805SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为15 mA，功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情，请联系我们。