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  • OP509B 光电晶体管
    OP509B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP509B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.4至10.6 mA.有关OP509B的更多详细信息，请联系我们。

  • OP509C 光电晶体管
    OP509C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP509C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.7 mA.有关OP509C的更多详细信息，请联系我们。

  • OP535A 光电晶体管
    OP535A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP535A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为10.5 mA.有关OP535A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP535B 光电晶体管
    OP535B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP535B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.5至32.0 mA.有关OP535B的更多详情，请联系我们。

  • OP535C 光电晶体管
    OP535C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP535C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为1.5 mA.有关OP535C的更多详情，请联系我们。

  • OP538FA 光电晶体管
    OP538FA
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息，请联系我们。

  • OP538FB 光电晶体管
    OP538FB
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP538FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.3至20.5 mA.有关OP538FB的更多详细信息，请联系我们。

  • OP538FC 光电晶体管
    OP538FC
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP538FC是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.1 mA.有关OP538FC的更多详情，请联系我们。

  • OP550A 光电晶体管
    OP550A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP550A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP550A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP550B 光电晶体管
    OP550B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP550B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP550B的更多详情，请联系我们。

  • OP550C 光电晶体管
    OP550C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP550C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP550C的更多详情，请联系我们。

  • OP550D 光电晶体管
    OP550D
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP550D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP550D的更多详情，请联系我们。

  • OP552A 光电晶体管
    OP552A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552A的更多详情，请联系我们。

  • OP552B 光电晶体管
    OP552B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552B的更多详情，请联系我们。

  • OP552C 光电晶体管
    OP552C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552C的更多详情，请联系我们。

  • OP552D 光电晶体管
    OP552D
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552D的更多详细信息，请联系我们。

  • OP555A 光电晶体管
    OP555A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP555A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP555A的更多详情，请联系我们。

  • OP555B 光电晶体管
    OP555B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP555B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP555B的更多详情，请联系我们。

  • OP555C 光电晶体管
    OP555C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP555C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP555C的更多详情，请联系我们。

  • OP555D 光电晶体管
    OP555D
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP555D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP555D的更多详细信息，请联系我们。