人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗(FP)激光器到 DFB 和 DBR 激光器,这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。
SPL EN91-40-8-10B概述
单管芯片(未切割的巴条) ,发射器宽度100μm,910nm;现货库存,请联系客服咨询。推荐用于连续波(cw)-应用,光纤激光泵浦,直接材料加工,医疗应用,打印应用.
SPL EN91-40-8-10B参数
- 波长 / Wavelength : 910 nm
- 芯片技术 / Chip Technology : 可切割的8个单管组成的单片线性阵列巴条
- 工作电流 / Operating Current : 10.8A
- 阈值电流 / Threshold Current : 0.54A
- 发射器数量 / Number of Emitters : 8
SPL EN91-40-8-10B详述
关键指标
- 8个单发射器的单片线性阵列
- 单管由客户进行切割
- 推荐的光功率为每个单发射器11W
- 典型的转换效率为61%
- 高效率和可靠的 MOVPE 生长的量子阱结构
- 其他中心脉冲波长可根据要求提供
- 可焊 p 面和 n 面金属化
- N 面金属化适用于导线键合.
SPL EN91-40-8-10B规格书
SPL EN91-40-8-10B厂家介绍
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