• ARR291P1800 H封装激光二极管阵列 半导体激光器
    美国
    中心波长: 780um 输出功率: 1800000mW

    H PackageLaser DiodeArray专为直接二极管应用(如脱毛和塑料焊接)而设计。该封装采用二维配置,脉冲持续时间为0.5ms至300ms,每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠(可根据要求提供定制选项)。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却,使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以实现更坚固的组装,从而提高可靠性。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    工作模式: QCW 半导体激光器巴条: 12

    H封装激光二极管阵列专为直接二极管应用(例如脱毛和塑料焊接)而设计。该封装采用二维配置,脉冲持续时间为0.5ms至300ms,每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠(可根据要求提供定制选项)。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却,使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以实现更坚固的组装,从而提高可靠性。

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